英特爾 24 日表示，ASML 首批的兩台先進曝光機已投產，早期數據顯示比之前機型更可靠。
英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用 ASML 高數值孔徑（High NA）曝光機一季內生產 3 萬片晶圓，即生產數千顆運算晶片的大型矽片。
英特爾去年成為全球第一間接收這些設備的晶片製造商，與之前 ASML 設備相比，這些機器可望製造出更小、更快的運算晶片。此舉是英特爾策略轉變，因英特爾採用上代極紫外光（EUV）曝光機時落後競爭對手。
英特爾花了七年才將之前機器全面投產，導致領先優勢被台積電超越。生產初期，英特爾曾因 EUV 機型可靠性問題遇到挫折。不過 Carson 表示，ASML High NA EUV 設備初步測試可靠性約前代機器兩倍，「我們能以一致速度輸出晶圓，這對平台是一大幫助」。
ASML 新設備用光束在晶片印製電路圖案，同時能以更少曝光次數完成與早期設備相同工作量，節省時間和成本。Carson 指出，英特爾工廠早期結果顯示，High NA EUV 機器只需一次曝光和「個位數」處理步驟，即可完成早期機器需三次曝光和約 40 個步驟的工作。
英特爾表示，計劃使用 High NA EUV 設備來協助開發其所謂的 18A 製程，該技術預計今年稍晚時跟著新 PC 晶片量產；此外，也計畫下代 14A 製程全面導入新設備，但尚未公布量產時間。
（首圖來源：科技新報）
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