
SBI 控股公司去年 9 月決定解除與力積電(PSMC)簽訂的半導體製造合作協議,將尋找新的合作夥伴。市場消息傳出,SBI 宮城晶圓廠計劃找上聯電和 SK 海力士合作,但路透社最新報導,SBI 發言人表示「報導不實」。
根據《日刊工業新聞》7 日報導,SBI 計劃在宮城縣興建的半導體工廠,傳出找上聯電、SK 海力士為合作對象展開協商。其中,與 SK 海力士合作主要是 DRAM 後段製程,與聯電合作則是開發車用晶片。
不過 SBI 隨即否認這消息,該公司發言人今(7 日)表示「該報導不屬實」。
SBI 去年 9 月宣布,將解散與力積電的合資企業,當時雙方曾尋求政府補助,以在日本北部建設晶圓代工廠。SBI 當時表示,仍考慮與其他企業在半導體相關業務上進行合作。
力積電當時回應,力積電為台灣股票上市公司,為沒有主導性持股的日本新廠保證營運,將違法我國證券交易法,因此力積電董事會已於月前董事會確認停止日本新廠合作計畫,並派員前往經產省當面向主管官員說明,亦已發函告知 SBI 此訊息。
SBI 於 2023 年 8 月與力積電成立合資公司,並於同年 10 月宣布在宮城縣建設半導體廠,預計於 2027 年量產車用半導體,計劃總投資額為 8,000 億日圓,政府預計在初期投資階段提供最多 1,400 億日圓的補助。
據報導,SBI 宮城晶圓廠將分為兩期工程,第一期工程目標 2027 年投產、以 12 吋矽晶圓換算的月產能為1萬片,將生產 40nm、55nm 晶片;第二期工程預計 2029 年投產,除上述 40nm、55nm 產品之外,也將生產 28nm 及活用 WoW(Wafer-on-Wafer)技術的晶片,屆時工廠滿載生產時、月產能將達 4 萬片。
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