SK 海力士第六代 10 奈米等級 1c 製程良率達八成，即將量產

韓國媒體 Hankooki 報導，記憶體大廠 SK 海力士第六代 10 奈米等級 1c 製程 DRAM 良率達 80%，較 2024 下半年 60% 明顯提升，如期進入量產。

DRAM 記憶體製程良率達 80%~90% 時就可量產，故 SK 海力士第六代 10 奈米等級 1c 製程快達量產水準。

SK 海力士 2024 年 8 月宣布，成功開發全球首款第六代 10 奈米等級 1c 製程 DDR5 DRAM，是 1b 平台的延伸，生產效率更高，執行速度、效能方面顯著改進。除 DDR5 外，SK 海力士旗下 LPDDR6、GDDR7 等也採此製程。

SK 海力士第六代 10 奈米等級 1c 尚需更長時間方能在需求熱絡的 HBM 領域取得應用。市場消息，SK 海力士今年量產 HBM4 產品，原則上仍採較成熟第五代 10 奈米 1b 製程。

(首圖來源：SK 海力士)