盛美半導體單片晶圓高溫 SPM 設備，可應對 28 奈米以下濕蝕刻、清洗製程

盛美半導體今（15 日）宣布，其單片晶圓高溫硫酸過氧化混合物（SPM）設備已成功通過一家邏輯晶片製造商的驗證。截止目前，該設備已被 13 家客戶訂購，並能應對 28 奈米及以下節點前段與後段制程中晶圓所需的多種濕蝕刻與清洗製程。

盛美半導體指出，該系統採用盛美半導體全新的專有噴嘴設計以消除 SPM 製程中的酸霧飛濺問題，有助提高顆粒控制能力、減少腔體的清洗維護頻率，從而提高設備的運行時間（uptime）。

董事長王暉指出，單片晶圓中/高溫 SPM 設備可有效解決客戶在大批量 300 毫米半導體製造方面所遇到的挑戰，目前已經看到該設備在全球獲得廣泛認可。單片晶圓中/高溫 SPM 設備在晶圓清洗設備市場中的市占不斷增加，在下一代半導體器件生產中扮演關鍵角色。

盛美半導體表示，該設備能應對前段與後段制程中晶圓所需的多種濕蝕刻與清洗製程，包括中低溫硫酸 90℃ 清洗處理工藝、高溫硫酸 170℃ 光阻劑（PR）去除工藝，以及超高溫硫酸190℃金屬剝離工藝。

隨著半導體製程不斷推進，對單片晶圓高溫硫酸工藝的需求顯著增長。這一趨勢對顆粒管控、腔室氛圍管理以及硫酸溫度穩定性提出更嚴格的要求。盛美半導體的多級加熱方式和專有 SPM 噴嘴設計，前者確保最高混合溫度達到230℃以上並實現穩定控制，後者則防止 SPM 飛濺到腔體以外，顯著提升顆粒控制能力，可將 26 奈米尺以下的平均顆粒數控制在 10 顆以內，以滿足日益嚴苛的挑戰。

此外，該設備腔體配備化學內聯混合（CIM）系統，可支持各種化學品的配置。該腔體還可與盛美半導體的專利空間交變相位移（SAPS）和時序能激氣穴震盪（TEBO）超聲波技術搭配使用，以提升晶圓清洗效果。

盛美半導體指出，單片晶圓中/高溫SPM 設備適用於多種濕蝕刻和單面或雙面清洗製程，並支持多種化學品和清洗工藝。相較於大多數後清洗和光阻劑濕法工藝，該設備在去除有機缺陷的同時，能夠顯著減少薄膜的損失。該設備主要用於處理 150 毫米至 300 毫米晶圓，配備四個裝載端口、8至12個腔體、一個多功能化學品分配系統以及腔體自清洗功能。

（首圖來源：盛美半導體）