韓國媒體報導，韓國記憶體產業遭遇中國嚴峻挑戰，主要展現在人才挖角與技術竊取、高價掃購半導體設備等，導致中國記憶體企業市占率快速提升，威脅韓國主導地位。
韓國媒體 Hankyung 報導，中國企業技術進步神速，主要仰賴從三星和 SK 海力士等韓國龍頭企業挖角人才，並竊取 HBM（高頻寬記憶體） 等先進技術，相關案例屢見不鮮。類似的技術間諜活動在其他國家也時常發生，例如荷蘭國防部長曾透露，業界懷疑中國試圖竊取 ASML EUV 技術。
除了技術與挖角人才，美國制裁促使中國記憶體企業為快速獲取設備，不惜以比原價高 1.7~2 倍的價格，向韓國半導體設備商下達緊急訂單，狂掃製造 LPDDR5 和 HBM 等先進產品。這也是因為全球逾九成半導體設備市場由美日廠商掌控，韓國產品受美國監管較少，成為中企經第三國採購的替代方案。
市場數據顯示，中國記憶體公司市占率快速增長。NAND 快閃記憶體市場，中國長江存儲今年第一季全球市占率達 8.1%，排名第六，這是中國半導體公司市占率首次得到官方確認。長江存儲已開發出約 300 層堆疊的 NAND 產品，與三星相當。業界人士預測，長江存儲有望一兩年內與 SK 海力士和美光並駕齊驅，下半年躋身全球 NAND 市場前三。
DRAM 部分，中國長鑫存儲市占率達 4.1%，居第四，僅次 SK 海力士、三星和美光。長期由三大巨頭主導的 DRAM 產業格局可能遭打破。長鑫存儲正在開發第四代高頻寬記憶體（HBM3），下半年與三星、SK 海力士和美光，成為全球四大 DRAM 廠商之一。
韓國半導體產業收到 TrendForce 第一季市占率報告後大吃一驚。首爾國立大學教授黃哲成（音譯）直指，十年內全球 DRAM 領導地位可能從韓國轉移到中國。專家警告，中國「紅色記憶體」入侵才剛開始，公司背後有強勁中國需求支持，且有頂尖技術。
(首圖來源：Pixabay)
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