面對全球人工智慧（AI）基礎設施投資快速擴張所帶動的 DRAM 需求激增，韓國三星電子正採取重大策略轉變，該公司計劃將位於平澤和華城園區的部分 NAND 快閃記憶體生產線，轉換為 DRAM 生產設施，以應對市場的強勁需求。此外，三星亦規劃將平澤四廠（P4）設立為專門的 DRAM 生產線，並應用最新的製程技術（1c），以期最大化公司獲利。
根據 Business Korea 的報導，這項大規模的產線調整，是為了滿足當前科技大廠們對AI基礎設施競相投資所產生的巨大需求。記憶體半導體，尤其是在協助中央處理器（CPUs）和圖形處理器（GPUs）快速運算方面扮演關鍵角色。
報導引用市場消息人士透露，當前的市場趨勢顯示，對 DRAM 的需求量已達到三大記憶體製造商，包括三星電子、SK海力士和美光科技供應能力的整整三倍。市場的迫切性甚至導致部分公司提出願意以高價採購三星電子的高容量伺服器 DRAM，包括 96GB 和 128GB 的 DDR5 產品，報價漲幅高達 70%。然而，即便出價高昂，由於供不應求，這些公司仍無法確保足夠的貨源。
主要科技大廠預期 DRAM 短缺將會持續下去，已經開始進行針對 2027 年供應量的談判。一位韓國市場人士指出，三星電子對於 NAND 快閃記憶體市場正採取較為保守量產態度。但相較之下，通用型 DRAM 的需求正顯著增加，且預計價格將持續上漲，因此該公司正著手進行提高產量的相關工作。
為了滿足這股排山倒海而來的 DRAM 需求，三星電子計劃將其部分 NAND 快閃記憶體生產設施轉換為 DRAM 生產線。目前，三星電子在其平澤一廠（P1）、平澤三廠（P3）以及華城園區生產 DRAM 和 NAND 快閃記憶體。其中，平澤 P1 和華城園區目前是以混合線的方式運營，同時生產 DRAM 和 NAND 快閃記憶體。
而三星電子的擴張計畫，則預計將在P1和華城園區實施，具體方式是縮減 NAND 快閃記憶體的生產設施，並擴大 DRAM 的生產設施。另外除了調整現有產線外，新的專用 DRAM 生產設施也在建設中。包括 P4 目前正在進行工程收尾階段，預計將完工成為專門的 DRAM 生產設施。它將應用 10 奈米等級的第六代（1c） DRAM 生產技術，並計劃於 2026 年開始營運。這使得 P4 成為一個應用最新製程、致力於最大化利潤的 DRAM 專用產線。
另外，三星電子同時正在審核一項計畫，考慮在平澤二廠（P2）生產 DRAM。P2 最初的規劃是作為晶圓代工的生產設施，但如今為滿足市場對 DRAM，因此計畫轉換為 DRAM 生產線。因此，整體來說，一旦設施投資最早在 2026 年上半年完成，平澤 P1 和華城園區的現有混合線中 DRAM 的生產比例將會大幅提高。同時，P4 等新設施將容納全新的 DRAM 生產線，這將顯著提升整體 DRAM 生產能力。至於，NAND 快閃記憶體產量減少的部分，三星則預計將透過增加中國西安工廠的產量來填補缺口。
報導強調，市場人士指出，雖然 NAND 快閃記憶體的供應商眾多，但 DRAM 基本上就是三大記憶體公司壟斷。增加高獲利 DRAM 的產量，形成了一個利潤將會共同增長的結構。因此，三星電子的這一系列行動，不僅是對市場強烈信號的回應，更是策略性地將資源投入到目前最具高附加值和壟斷性的記憶體領域，以確保在 AI 時代的領先地位和高額獲利。
(首圖來源：官網)
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