SK 海力士調整 2026 年 HBM4 量產時間與產能，是為了這原因

ZDNet Korea 報導，SK 海力士修改 HBM4 生產計畫，原計畫 2026 年 2 月量產 HBM4，並第二季末擴大產量，以配合 GPU 大廠輝達 (NVIDIA) 完成 HBM4 品質驗證時間點，達快速擴產。修正後 HBM4 實際量產起始時間延至 2026 年 3~4 月，擴大生產時間點延至第三季。HBM4 量產所需材料和零組件供應速度也放緩。

報導引用消息人士說法，SK 海力士原定 2026 上半年逐步提升 HBM4 產能，第二季末提高整體 HBM 比重。但現決定至少 2026 上半年，前代 HBM3E 生產比重仍維持最高。

調整時程原因，被認為與輝達策略調整和市場需求變化密切相關。消息人士透露，SK 海力士與輝達討論 2026 年 HBM 供貨時，發現 HBM3E 採購量大幅增加，反映市場幾個關鍵：

1. Rubin 晶片可能延後發表：HBM4 是為輝達預計在 2026 年推出的新世代 AI 晶片 Rubin 所準備的。業界普遍擔憂，Rubin 晶片量產時間可能延期。
2. HBM3E 需求強勁：搭載 HBM3E 的 Blackwell 需求依然強勁。為滿足當前市場對 HBM3E 的穩健需求，SK 海力士選擇優先確保 HBM3E 供應。

第六代高頻寬記憶體 HBM4 有重大進步：

1. I/O 數量倍增 HBM4 的輸入/輸出（I/O）端口數量擴大至 2,048 個，這是前一代產品的兩倍，意味著數據傳輸通道更加寬廣。
2. 製程轉向晶圓代工：另一個關鍵特性是，用於控制 HBM 的邏輯晶粒將不再採用傳統的 DRAM 製程，而是改用台積電的晶圓代工製程來進行生產。

SK 海力士之前為了快速上線 HBM4，大量試產樣品，據稱因應輝達要求，提供約 2 萬至 3 萬晶片測試品質。

輝達 Rubin 晶片量產時間可能延期消息已擴散，不僅是因 Rubin 晶片追求性能提升導致 HBM4 等技術難度變高，另台積電 2.5D 封裝 CoWoS 也面臨產能瓶頸。

SK 海力士回應，雖然無法確認經營策略相關細節，但計劃根據市場需求，採取靈活應對措施。SK 海力士面對瞬息萬變的 AI 晶片市場時，顯示採取彈性供應策略的決心。

(首圖來源：SK 海力士)