挑戰 HBM 王者地位！英特爾 ZAM 記憶體頻寬達 HBM4 兩倍，容量、散熱更具優勢

英特爾 Z-Angle Memory（ZAM）技術已接近完成階段，並正全力投入 AI 市場浪潮，試圖挑戰 HBM 作為高頻寬記憶體主流方案的地位。

做為高頻寬、高容量市場的重要創新，ZAM 正在記憶體產業引發高度關注。這項技術由英特爾與軟銀（SoftBank）共同開發，目標是提供低功耗、高密度的解決方案，以取代 HBM。

根據最新資訊，ZAM 記憶體的頻寬預計將達到 HBM4 的兩倍，並可與預計次世代 HBM4E 相媲美。ZAM 預計在 2028 年至 2030 年間進入量產階段。在 2026 年 VLSI 研討會上，Intel 與軟銀旗下子公司 SAIMEMORY 預計將進一步揭露相關細節。

在架構設計上，ZAM 採用 9 層堆疊設計，其中單一堆疊包含 8 層 DRAM，每層之間僅有 3 微米矽基板，並由主基板上的單一邏輯控制器（Logic Controller）統一管理。該技術包含三層主要的矽穿孔（TSV）結構，每層透過混合鍵合（Hybrid Bonding）配置 1.37 萬個互連路徑。

在容量與效能方面，ZAM 每層提供 1.125GB 容量，使單一堆疊達到 10GB，整體封裝可達 30GB。堆疊面積為 171mm²，每平方毫米提供 0.25 Tb/s 頻寬，單一堆疊總頻寬可達 5.3 TB/s。

儘管 HBM 目前仍是 AI 加速器與 GPU 的主流記憶體方案，但隨著規格提升，已面臨發熱與功耗等結構性挑戰。ZAM 則針對高密度、寬頻寬與低功耗進行優化，其垂直結構有助於散熱，避免傳統佈線層造成的熱堆積問題。

ZAM 的主要優勢包括極高頻寬密度：約 0.25 Tb/s/mm²，顯著高於 HBM；更低功耗：針對資料傳輸能耗進行優化；更佳散熱管理：垂直架構降低熱累積；更高堆疊潛力：支援 9 層以上堆疊，採用 3μm 超薄矽基板；先進互連技術：包含磁場耦合無線 I/O 與混合鍵合；AI 工作負載優化：針對生成式 AI 的記憶體瓶頸設計。

ZAM 的最終目標是透過 3.5D 封裝技術實現高密度 3D 記憶體整合，將高頻寬大容量記憶體、電源與接地軌（Power/Ground rails）、矽光子（Silicon Photonics）及傳統 I/O 整合於單一基板上。