在中國政府積極推動半導體自主化的政策下，中國在高頻寬記憶體（HBM）市場的技術進展迅速。根據首爾經濟日報的報導指出，中國記憶體製造商長鑫存儲（CXMT）與市場兩大龍頭──韓國的三星電子及 SK 海力士之間的技術差距，目前已縮短至大約三年。
報導指出，中國正傾注大量資金與資源支持本土記憶體廠，意圖挑戰韓國在人工智慧（AI）硬體供應鏈中的主導地位。而根據先前市場分析師曾推測，長鑫存儲因生產良率的重大限制，已暫停第四代 HBM3 記憶體的開發。然而最新數據顯示，該公司已成功開發出相關技術，其技術規格幾乎能與韓國的 HBM3 匹敵，儘管目前仍面臨良率偏低的挑戰。
報導表示，為了實現此快速發展，中國政府敦促長鑫存儲大幅加快製造規模的擴張。該公司目前正朝著每月生產 30 萬片 12 吋晶圓的目標邁進，這將占全球總產量的 14%，規模幾乎與美國大廠美光科技並駕齊驅。然而，儘管中國在總產能上取得了巨大進展，但韓國在高階產品的市場占有率依然無法動搖。
就現在來說，三星與 SK 海力士目前已經在量產第六代 HBM4 記憶體。由於韓國企業已經跨入這一發展階段，在具備市場競爭力的頂級產品方面，其技術領先幅度平均仍比中國超前約三個世代。此外，輝達（Nvidia）執行長黃仁勳在 GTC Taipei 大會上的最新發布，進一步推動了韓國記憶體的銷售。
先前，輝達宣布推出其首款個人電腦專用 AI 處理器「N1X」，並與微軟（Microsoft）合作預覽了名為「Nvidia RTX Spark」的全新 AI PC 產品線。這些 N1X 晶片預計將採用由三星和 SK 海力士製造的高功率、低電壓 LPDDR5X 記憶體晶片。這證明了儘管中國競爭對手在產能上具備優勢，韓國企業仍將持續拿下消費性 AI 硬體的關鍵供應合約。
(首圖來源：長鑫存儲)
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