SK 海力士開始供應 12 層堆疊 HBM4E 樣品，引腳傳輸速率達 16Gbps

SK 海力士今（18 日）宣布，公司已向主要客戶提供 12 層堆疊 HBM4E 樣品。該公司表示，憑藉長期累積的 HBM 領先開發能力與量產經驗，成功向客戶提供 12 層 HBM4E 樣品。公司將與主要客戶密切合作，確保產品能如期進入量產階段。

此次推出的新產品相較前一代 HBM4，在效能與能效方面均有顯著提升。HBM4E 的引腳（Pin）傳輸速率最高可達 16Gbps，能源效率則提高超過 20%，大幅提升 AI 訓練與推理所需的資料處理能力。

此外，HBM4E 透過新一代介面與設計優化，有效降低資料傳輸延遲，即使在高頻寬環境下也能維持穩定運作。公司預期，該產品將進一步提升下一代 AI 資料中心與大規模運算系統的處理效率。

在封裝技術方面，SK 海力士於 HBM4E 採用先進 MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill，批量回流模塑底部填充）製程。該技術在實現 12 層堆疊、48GB 容量的同時，也進一步強化了結構穩定性。與 HBM4 相比，其熱阻降低約 17%，可確保產品在高效能運算環境下維持穩定運行。

MR-MUF 是在堆疊半導體晶片後，於晶片間填充液態保護材料並進行固化，以保護內部電路的封裝技術。

SK 海力士表示，公司憑藉在 HBM3、HBM3E 與 HBM4 等產品累積的量產與供貨經驗，持續適時提供符合客戶需求的記憶體解決方案。未來也將延續市場驗證的品質與供應能力，透過 HBM4E 與客戶共同解決 AI 系統瓶頸問題，支援下一代 AI 基礎設施建設。

SK 海力士開發總管（CDO）社長安炫（Ahn Hyun）表示，SK 海力士將把迄今累積的業界領先技術競爭力與量產能力延續至 HBM4E 產品，進一步鞏固持續引領 AI 創新的基礎。透過與合作夥伴的緊密協作，將以前瞻性的布局實現市場所需價值，並進一步強化 SK 海力士作為「全方位 AI 記憶體創造者」（Full Stack AI Memory Provider）的技術領導地位。

（首圖來源：SK 海力士）