JEDEC 放寬 HBM 厚度規範，傳三星、SK 海力士延後導入混合鍵合技術

高頻寬記憶體（HBM）的一大演進趨勢是堆疊層數增加，為了壓縮不斷堆疊的高度，業界將混合鍵合（Hybrid Bonding）視為下一代 HBM 的關鍵封裝技術。不過根據最新市場消息，由於 JEDEC 放寬 HBM 厚度規範，三星與 SK 海力士可能不會在 HBM4 導入混合鍵合技術。

先前《ZDNet Korea》報導，今年將正式商用化的 HBM4 厚度標準 775 微米（μm），對於需要 20 層堆疊的後續世代 HBM4E 與 HBM5，業界討論要將厚度放寬至 825 微米到 900 微米以上。

根據最新外媒報導，最新標準是將 HBM5 厚度標準從 900 微米放寬至 1,000 微米，這也使混合鍵合的採用變得不那麼迫切。報導稱，三星與 SK 海力士的混合鍵合技術可能跳過 HBM4，改在 HBM4E 才正式導入。

混合鍵合主要是為了因應下一代 HBM 對更多 DRAM 堆疊層數的需求。傳統 HBM 採用熱壓鍵合（Thermal Compression Bonding），會在每層 DRAM 晶片之間加入凸塊（Bump）與底部填充膠（Underfill），再透過高溫與壓力完成堆疊。

透過混合鍵合技術，可移除傳統封裝中的底部填充膠，由於填充膠本身具有隔熱特性，因此移除後可有效提升熱傳效率，改善 HBM 散熱能力。

由於輝達（NVIDIA）等大型客戶延後對更高堆疊層數 HBM 的需求，因此三星與 SK 海力士也延後導入混合鍵合技術。消息人士透露，目前業界對 16 層 HBM 討論已趨於冷淡，即使到了 HBM4E，仍可能維持 12 層堆疊。

目前在技術路線上，三星與 SK 海力士則積極研究其他散熱技術，例如三星計畫在新一代 DRAM 標準中導入名為 HPB（Heat Block Path，熱傳導路徑）的全新散熱技術；SK 海力士則發表 iHBM 新技術，透過在 HBM 內部整合冷卻元件（Integrated Cooling Elements，簡稱 ICE），提升高堆疊、高速 HBM 的散熱能力。

不過消息人士認為，隨著 HBM5E 的 I/O 端子數大幅增加，混合鍵合技術仍是不可或缺的封裝方案。