高頻寬記憶體(HBM)的一大演進趨勢是堆疊層數增加,為了壓縮不斷堆疊的高度,業界將混合鍵合(Hybrid Bonding)視為下一代 HBM 的關鍵封裝技術。根據最新市場消息,由於 JEDEC 放寬 HBM 高度限制,三星與 SK 海力士在 HBM4 恐不會導入混合鍵合技術。 繼續閱讀..
JEDEC 放寬 HBM 高度限制,傳三星、SK 海力士延後導入混合鍵合技術 |
| 作者 林 妤柔|發布日期 2026 年 07 月 07 日 11:48 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 |




