英特爾晶圓代工公開延伸藍圖，將 Intel 14A 製程納入先進製程時程表，並增加特定節點，不過近日又修改藍圖，Intel 14A 提前至 2026 年，並於 2027 年增加新製程，即 1 奈米（Intel 10A）。
綜合外媒報導，這是英特爾首度宣布 1 奈米製程開始。英特爾展會時已介紹 Intel 10A，但消息封禁到現在才曝光。Intel 10A 將於 2027 年進入生產開發（非量產）階段，Intel 14A（1.4 奈米）提前至 2026 年投產。英特爾還致力建造完全自主的 AI 驅動晶圓廠。
英特爾執行副總裁兼代工製造與供應總經理 Keyvan Esfarjani 介紹最新發展，並展示技術藍圖。英特爾 2027 年底開始開發 10A 節點，以填補 EUV 技術的空白。
假設英特爾明年順利推出 1.8 奈米製程，2026 年推 1.4 奈米，2027 年再躍升至 1 奈米，很可能領先競爭對手台積電。台積電預估 2025 或 2026 年開始 2 奈米製程，之後 1.4 奈米製程。
不過，英特爾沒透露 10A 節點任何細節，但至少有雙位數的功耗與性能改進。英特爾執行長 Pat Gelsinger 曾表示，新製程改善臨界值約 14%~15%，因此 10A 與 14A 可能也會有這樣改進。
另據英特爾藍圖，Intel 14A 也於 2027 年最佳化，故 10A 似乎介於 14A 和 14A-E 之間。
值得注意的是，英特爾投影片備註，最終規模、速度和製程取決於商業條件和激勵措施，意味著美國晶片法案的資助將影響擴產能力。
英特爾目前技術
Intel 20A 同時整合兩項新技術，即背面供電（PowerVIA）和 GAAFET（RibbonFET）。此外積極提高 Foveros、EMIB、矽光子（SIP）和HBI（混合鍵合互連，hybrid bond interconnect）先進封裝產能。
英特爾最近結束所有採標準封裝的內部封裝，現在全力投入高階封裝，標準封裝任務由 OSAT（專業封測代工廠）完成。
英特爾 18A 生產基地位於亞利桑那州廠，但沒透露哪裡生產 10A 節點，並同步俄亥俄州、以色列、德國、馬來西亞和波蘭擴張。
英特爾還重申，生產流程各環節將導入 AI，從產能規畫、預測、產量改進到實際生產操作，努力實現「10 倍登月」計畫（10X moonshot），但沒有提供時程表，只表示 AI 協作機器人「Cobots」將來代工廠會與人類並肩工作。
- Intel puts 1nm process (10A) on the roadmap for 2027 — also plans for fully AI-automated factories with ‘Cobots’
- Intel Adds New 1nm Node to Its Foundry Roadmap for 2027
（首圖來源：英特爾）
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