SK 海力士擬斥資 39 億美元，赴美建首座 HBM 先進封裝廠
作者 | 發布日期 2024 年 04 月 05 日 15:13 | 分類 半導體 , 封裝測試 , 晶片 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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SK 海力士擬斥資 39 億美元，赴美建首座 HBM 先進封裝廠

韓國記憶體大廠 SK 海力士宣布，斥資 38.7 億美元在美國印第安那州興建新先進記憶體封裝廠，預期 2028 年下半年開始營運，有望生產HBM4 和 HBM4E 記憶體產品。

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