SK 海力士 HBM3E 良率成長，生產效率明顯提升

SK 海力士高層 Kwon Jae-soon 近日向英國《金融時報》表示，HBM3E 良率接近 80%，生產效率也明顯提升。

相較標準 DRAM 產品，HBM 製造過程牽涉 DRAM 層間建立 TSV 矽通孔和多次晶片鍵合，複雜程度直線上升。一層 DRAM 出問題，就讓整個 HBM 堆疊報廢。故 HBM 生產必須更謹慎，提升效率也更難。八層至 12 層堆疊 HBM3E 天生良率就落後標準 DRAM。

韓媒 DealSite 3 月報導，HBM 良率僅約 65%，SK 海力士近期良率提高到 80%，顯示 HBM3E 良率有明顯改進。

Kwon Jae-soon 也提到，SK 海力士已將 HBM3E 生產週期減少 50%。更短產期代表更高效率，輝達等下游客戶貨源更充足。他也再次確認 SK 海力士今年重點是生產八層堆疊 HBM3E，因目前是客戶需求大宗。Kwon Jae-soon 強調，人工智慧時代，提高產量對保持領先地位越來越重要。

(首圖來源：SK 海力士)