IBM 攜手 Rapidus 研發多閾值電壓 GAA 電晶體，有望 2 奈米量產

IBM 和日本新創晶片商 Rapidus 於 IEEE IEDM 2024 國際電子元件會議，展示合作的多閾值電壓 GAA 電晶體成果，有望用於 Rapidus 的 2 奈米量產。

IBM 表示，先進製程升級至 2 奈米節點後，電晶體結構由使用多年的 FinFET 鰭式場效應電晶體，轉成 GAAFET 全環繞柵極場效應電晶體，對製程改朝換代帶來新挑戰。如何達多閾值電壓（Multi Vt），讓晶片以較低電壓執行複雜計算是個挑戰。

IBM 強調，2 奈米製程 N 型和 P 型半導體通道，距離相當狹窄，需精確曝光達到多閾值電壓，也不影響半導體性能。IBM 攜手 Rapidus 導入兩種選擇性減少層（SLR）晶片構建，成功達成目標。

IBM 研究院高級技術人員 Bao Ruqiang 表示，與 FinFET 相較，Nanosheet 奈米片結構非常不同，且更複雜。新技術比以前方法更簡單。相信將使合作夥伴 Rapidus 更容易可靠量產 2 奈米晶片。

(首圖來源：Unsplash)