韓媒：SK 海力士即將向 NVIDIA 供應 16 層 HBM3E 樣品

根據韓國業界消息，SK 海力士正量產 16 層 HBM3E 原型，很快就會出貨給主要客戶，包括 NVIDIA、亞馬遜、AMD 和博通。

近年 HBM 一直是記憶體業的熱門話題，領頭羊 SK 海力士已表明今年產能已售罄，該公司去年 11 月宣布開發 16 層 HBM3E。SK 海力士執行長郭魯正表示，「我們正積極開發 48 GB、16 層 HBM3E，並採用先進 MR-MUF（Mass Reflow-Moulded Under Fill）製程。該製程已證明可進行 12 層的量產。」

之前 HBM 只有 12 層，隨著 AI 伺服器擴充，大容量、高效能記憶體需求不斷增加，堆疊數也從 12 層增加至 16 層。據悉，SK 海力士與客戶討論樣品後，預期上半年開始供貨，客戶包括 NVIDIA、博通、亞馬遜和 AMD 等。

近期，SK 董事長崔泰源與 SK 海力士執行長郭魯正參加 CES 2025，崔泰源與 NVIDIA 執行長黃仁勳會面，並協調最新 HBM 交付時間。不過，由於 NVIDIA Blackwell 製造問題，目前仍存在變數。

競爭對手部分，美光已開始準備量產 16 層 HBM3E，另根韓媒報導，美光已經在進行最終設備評估，計畫年內實現量產；三星則尚未設定具體時間表。

據悉，比起 16 層 HBM3E，業界更專注今年下半年將推出的 HBM4，因此前者產能應該不會像上一代這麼高；預期今年後半年將看到客戶交互購買 16 層 HBM3E 與 12 層 HBM4。

目前更值得注意的是堆疊數，如果 16 層 HBM3E 推進順利，有望作為 16 層 HBM4 的參考，這也是三大記憶體廠積極佈局的重點。三星希望在 HBM4 逆轉超車，若 SK 海力士在第 16 層先發制人，要追上就很難了。

目前 SK 海力士已經規畫中長期發展藍圖，計畫 2027 年前量產 HBM4E 和客製化 HBM4E，2030 年前量產 HBM5 和 HBM5E。同時，該公司將於 2028 年在美國印第安納州開始營運先進封裝線，建廠時間未定，但預期明年開始全面動工，由於建廠規模較小，有望一年半到兩年內完成，推測與 SK 海力士量產 HBM5 的時間吻合。