韓國媒體傳出，美國記憶體大廠美光（Micron Technology, Inc.）準備量產 16 層堆疊的第五代高頻寬記憶體「HBM3E」，進度幾乎跟 SK 海力士（SK Hynix）差不多。
爆料人士@Jukanlosreve 16日引述韓國媒體報導，業界消息顯示，美光正在評估最後設備，準備量產16層堆疊產品。不只如此，美光同時也大幅加碼關鍵製程設備投資。
Report: Micron Preparing for Mass Production of 16-Stack HBM3E
The mass production of 16-stack HBM3E, which will be used in NVIDIA’s next-generation products, is reportedly being prepared by Micron almost simultaneously with SK Hynix.
According to industry sources cited by…
— Jukanlosreve (@Jukanlosreve) January 15, 2025
韓國半導體業界人士直指，美光標準型DRAM市場屈居第三，最近卻憑著客製化高頻寬記憶體（HBM）和低功耗次世代記憶體連結大躍進，韓國半導體企業必須提高警覺。
輝達（Nvidia Corp.）次世代產品傳搭載16層堆疊HBM3E，美光、SK海力士量產進度相近。
美光15日終場勁揚5.99%，收103.19美元，創2024年12月18日以來收盤新高；年初迄今已大漲22.61%。相較之下，SK海力士、三星年初迄今僅上漲13.94%、0.94%。
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