韓國媒體 MoneyToday 報導，記憶體大廠三星將第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程開發延後六個月到 6 月才完成。三星之前宣稱第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程 2024 年底開發完並量產，但良率沒有提升，導致時程再延後半年，這會使預定下半年量產的第六代高頻寬記憶體（HBM4）一併延後。
報導引用市場人士說法，三星第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程遇到困難。儘管市場在 2024 年底左右，獲得了三星送交的第一個測試晶片，但因為無法達到預期的良率，因此將預定開發完成的時間延後六個月。而在這六個月中，三星預計將良率提升到約 70%。根據過往業界的經驗，每一代製程的開發週期通常落在 18 個月左右。但是，三星於 2022 年 12 月開發出第五代 10 奈米級 1b DRAM 製程，並於 2023 年 5 月宣布量產之後，就一直沒有 1c DRAM 狀況的消息。
如果第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程從開發完成到量產的時間約為正常的 6 個月時間，則三星實際量產的時間預計將在 2025 年底。而這樣的時程，幾乎也影響了三星當前正面臨生死關頭的 HBM 產品的發展。以 1c DRAM 製程為例，其核心產品是以 DDR5 記憶體為主，而 HBM 則是其衍生產品，開發時間會落後核心產品的時間。這代表著一旦核心產品延後到 2025 年底量產，HBM 量產可能會在 2025 年之後進行。這相較於三星先前宣布將於 2025 年下半年將 1c DRAM 製程用於 HBM4、並量產的情況有所改變，也影響三星 HBM 市場競爭力。
三星計劃上半年全力投入六代 10 奈米級 1c DRAM 製程，以盡快提高良率。由於競爭對手 SK 海力士選擇穩定方法，第五代 10 奈米級 1b DRAM 製程用於 HBM4，但三星展現大躍進決心，以快速提高性能和能效。但要達成目標，最重要的就是盡快量產。韓國半導體產業人士指出，三星正在修改 1c DRAM 部分設計。
(首圖來源：三星)
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