全球半導體設備大廠科林研發（Lam Research） 台灣區總經理郭偉毅表示，做為全球領先的半導體設備供應商，一直以來都非常重視在台灣的發展與投資。科林研發在台灣擁有一家名為 Lam Manufacturing Taiwan 的分公司。這家公司原先是與德國 MANZ 合資成立，但在 2021 年已完全被科林研發收購，預計在 2025 年，Lam Manufacturing Taiwan 將正式併入科林研發，如此有機會科林研發甚至是全台灣產量最大的半導體設備商。未來也將透過這家公司，加強與台灣供應鏈的合作。
郭偉毅 12 日在與媒體會面簡介公司時表示，科林研發展現了其積極投入資源的決心。僅在去年，公司就投入了 20 億美元於研發之上。顯見在當前全球科技產業高度關注研發的趨勢下，科林研發對於技術創新的重視程度。而在產品與服務方面，科林研發主要提供三種產品與一項主要的服務。這包括了薄膜沉積（Deposition）、蝕刻（Etch）、清洗設備，以及為客戶提供全面的服務與技術支援，這四大類構成了核心業務。
郭偉毅指出，科林研發於 1992 年首次進入台灣園區，至今已超過 30 年的時間。公司持續在各地成立分公司，並在 1996 年在台灣設立了第一個海外的技術訓練中心（Technical Training Center）。這項舉措展現了科林研發早期即對台灣半導體產業進行大幅度投資的決心。值得一提的是，該訓練中心甚至擁有用於先進封裝（如 CoWoS）最主要的工具──銅製程的沉積設備，使其成為全球唯一擁有此類設備作為訓練用途的中心。
而針對半導體市場的新需求，科林研發也現場介紹新推出的兩項新產品，分別是最先進 Akara 的導體蝕刻機台，以及 ALTUS Halo 全球首款利用金屬鉬的特性來生產先進半導體的原子層沉積（ALD）設備。其中，在 Akara 導體蝕刻機台部分，利用科林研發專利的 DirectDrive 技術，可使電漿反應速提高 100 倍，在受控條件下創建出原子級特徵結構。Akara 在導體蝕刻方面實現了跨世代的躍升，可在 3D 晶片時代下打造微小、複雜的結構。
Akara 支援環繞式閘極（GAA）電晶體和 6F² DRAM 和 3D NAND 元件的微縮，並且可擴展至 4F² DRAM、互補場效電晶體和 3D DRAM。這些元件要求具挑戰性的關鍵蝕刻步驟和精確的極紫外光 （EUV） 微影圖案，以形成複雜的 3D 結構。要建構深寬比越來越高的微小特徵結構，需要達到埃米級的精度，這已超出了目前主流電漿蝕刻技術的能力。
至於，在 ALTUS Halo 全球首款金屬鉬原子層沉積設備方面，由於半導體元件的運作需透過電子訊號快速通過導線（例如 3D NAND 字元線）來發送命令。這些奈米級導線是經由蝕刻製成的，當不能使用銅時，傳統上是用鎢來填充，以創建必要的連接。在金屬電阻率越低，訊號速度就越快。此外，在傳統的鎢佈線中，需要增加額外的阻障層以防止不必要的電子相互作用。隨著 NAND、DRAM 和邏輯元件微縮到更複雜架構像是 3D 整合，電子訊號必須透過更嚴格的連接傳輸。這增加了潛在的瓶頸並使速度變慢，而且在某些情況下還可能發生電子短路。
因此，鉬是這些應用和未來應用的理想金屬，因為它在奈米級線路中的電阻率比鎢低，而且不需要粘附層或阻障層，可減少製程步驟，提高生產效率並有助於提升晶片速度。憑藉著數十年的金屬化和先進開發專業，以及透過創新的沉積技術，科林研發率先在大量生產中使用鉬的原子層沉積技術，並使其成為可行方案。在大多數情況下，ALTUS Halo 可提供比傳統鎢金屬化多 50% 以上電阻改善。
(首圖來源：科技新報攝)
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