三星押注次世代記憶體！拚三年內量產 V-DRAM、超前對手 SK 海力士

三星電子已確定將在三年內量產被稱為次世代記憶體的「垂直通道電晶體（VCT）DRAM」的藍圖。外界解讀，三星有意比競爭對手 SK 海力士更早一個世代成功量產，以挽回「超級差距」的地位。

業界 27 日傳出，三星電子半導體（DS）部門的經營團隊已確定這項藍圖，並正式展開產品量產的相關作業。

據韓媒報導，VCT DRAM 是指將記憶體單元中控制電流流動的電晶體垂直排列的產品。與傳統平面方式相比，可以排列更多電晶體，實現更高容量，因此被視為潛力巨大的「遊戲規則改變者」。然而，這種製作方式比傳統工藝更繁複且嚴苛，不僅前段製程（晶圓製作）難度高，還需動用過去 DRAM 製程中未曾使用過的先進封裝技術，技術門檻相當高。

三星電子目前正量產 10 奈米級的第五代 DRAM，並以今年量產第六代產品為目標。隨著明年開發第七代產品的時程已確定，三星在第八代（1e）DRAM與全新製程技術 VCT DRAM 之間進行權衡後，最終選擇後者這個技術路線。

據悉，SK 海力士則規劃第七代 DRAM，再來依序是 1奈米級第1代（0a）、垂直DRAM（VG）的導入時間表。由此來看，如果三星計畫順利推進，將領先一步開啟「V DRAM時代」。另外，傳三星電子內部已將負責第八代產品的前期研究團隊與第七代團隊合併。

業界預期，VCT DRAM 有望在 2~3 年內看到實體產品。業界人士指出，由於三星近期在單一 DRAM 領域也開始落後，可以看出他們希望透過領先未來技術重拾市場領導者的自尊心。

對於這項消息，三星電子則回應「尚未確定具體的 DRAM 產品藍圖」。