傳統 DRAM、NAND 需求回升,三星 Q3 重回記憶體霸主地位

作者 | 發布日期 2025 年 10 月 16 日 9:50 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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傳統 DRAM、NAND 需求回升,三星 Q3 重回記憶體霸主地位

根據研調機構 Counterpoint Research 最新記憶體追蹤報告,2025 年第三季全球記憶體市場持續回升。三星以 194 億美元記憶體營收重回全球第一,SK 海力士則以 175 億美元居第二。

第三季市場成長主要受到傳統 DRAM  NAND 需求穩健回升推動。相較之下,高頻寬記憶體(HBM) 市場今年表現仍較為疲弱。不過,隨著 HBM3E HBM4 的導入與量產,預計自 2026 年起將為市場帶來顯著成長動能。

三星在 2025 年第三季的多項業務領域皆出現回升,抵銷上半年相對疲軟的表現。記憶體業務部分,三星第一季讓出 DRAM 市場領導地位、第二季於整體記憶體市場位居第二,但第三季重新回到首位。

在智慧型手機領域,Galaxy Z7 系列的推出推升摺疊機銷售占比。根據 Counterpoint Research Market Pulse 數據,三星第三季前兩個月的智慧型手機銷售量較去年同期成長,反映出市場需求回溫。

Counterpoint Research 資深分析師 Jeongku Choi 表示,三星上半年受 HBM 市場表現影響,但第三季重新取得全球記憶體市場領先地位。這顯示其在產品品質與營運效率上的穩定表現。隨著 HBM3E HBM4 的廣泛採用,預期 2026 年將成為記憶體市場的重要成長階段。

(首圖來源:三星

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