中國記憶體廠長鑫存儲在 IC China 2025（中國國際半導體博覽會）上，正式發布最新 DDR5 和 LPDDR5X 產品，挑戰韓美先進記憶體大廠。
長鑫存儲指出，其 DDR5 最高速率達 8,000Mbps、最高顆粒容量 24Gb，性能可媲美三星和 SK 海力士最新 DRAM。今年稍早時，市場曾出現由中國企業生產的少量 DDR5 產品，但這次是長鑫存儲作為代表，首度正式展示實際產品。
半導體產業指出，長鑫存儲展示 DRAM 性能值得關注，其 DDR5 最大速度 8,000 Mbps，比上一代產品（6,400 Mbps）提升 25%，在技術路線上至少已追上韓國 DRAM 公司。業界人士認為，長鑫存儲的性能足以應用於搭載最先進 CPU 的伺服器。
根據韓媒 Business Korea 引述日經及研調機構 Counterpoint Research 的資料，長鑫存儲第三季 DRAM 市占率達 8%，排名第四。在 NAND 部分，長江存儲第三季市占率為 13%。
長鑫存儲 DRAM 月產能為 27 萬片，約三星（64 萬片）和 SK 海力士（51 萬片）的 42–53%。外界預期，長鑫存儲全面量產 DDR5 與 LPDDR5X 有望降低記憶體熱潮的強度，但也將衝擊韓國公司在中國的銷售。
以去年為例，韓國兩間公司在中國的總銷售額為 87 兆 3,000 億韓圜，約占兩家公司合計總銷售額的 23.7%。由於美國封鎖 EUV 等關鍵設備出口中國，使得中國擴張腳步放緩，但與韓國在通用 DRAM 市場的技術差距約不到一年。長鑫存儲內部人士表示，新產品將成為替代方案，降低對海外公司的依賴。
韓媒認為，隨著 2030 年迎來 3D DRAM 時代，競爭關係可能又會出現變數。3D DRAM 是將記憶體單元向上堆疊的產品，當 3D DRAM 時代來臨時，對 EUV 曝光設備的需求將下降，這可能成為中國企業超車的機會。
中國經濟與金融研究院院長 Jeon Byeong-seo 認為，如果五年後能商業化不需 EUV 的製程技術，目前的技術差距可能瞬間縮小。
中國在 NAND Flash 領域同樣猛烈追擊。長江存儲第三季出貨量在全球市占率為 13%，以 270 層 NAND Flash 領先，與三星（286 層）相當，排名第四，緊追日本鎧俠（14%）。
業界認為，中國之所以能在記憶體技術上快速追趕，主要是因為強大的政府支持、積極網羅來自韓國、日本與台灣的技術人才，再加上龐大的內需市場作為後盾。若中國開始全面量產先進 DRAM，將成為記憶體短缺下熱潮的重要變數。
首爾大學材料科學與工程系 Hwang Cheol-seong 教授表示，單看記憶體技術水平，韓國與中國的差距幾乎已經消失。當不需要 EUV 曝光設備的 3D DRAM 時代在五年後到來時，中國將進一步崛起。
（首圖來源：長鑫存儲）
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