美國封鎖先進晶片製造設備後，中國業界是否能以既有技術跨越 EUV 鴻溝？近期，一份由華為在 2022 年提交、今年 1 月正式公開的半導體製程專利，再度引發全球半導體圈高度關注。
據《南華早報》報導，該專利描述一種依賴深紫外光（DUV）設備，卻能支援金屬線間距低於 21 奈米的金屬整合技術，理論上可對應 2 奈米級製程需求，被外界視為「不靠 EUV 也能做 2 奈米」的可能技術路徑。
雖然專利仍待審查、也沒有任何證據顯示技術已落地，但在美國持續加強出口管制、ASML EUV 無法輸中的現況下，這份專利象徵著華為試圖以技術變通方式繞過瓶頸的積極態度，也讓外界再度揣測中國在先進製程上是否酝酿突破。
DUV 做到 2 奈米？
據專利文件顯示，華為提出的是一種改良版自對準四重圖樣化（SAQP）流程，搭配雙層硬遮罩材料，利用「間隔層定義圖樣化」（spacer-defined patterning）完成兩組交織金屬線。此作法能減少 DUV 的對位精度負擔，使其理論上可在無 EUV 的情況下，仍達成超緊密金屬間距。
這意味著，在最受限的領域，也就是晶片最密集的金屬層（BEOL），華為找到了繞路方式，以更多步驟換取更小尺寸。不過這套流程比 EUV 更複雜，在製造成本、良率與大規模生產可行性上仍存巨大問號，即便技術可行，在量產上仍是另一場漫長挑戰。
儘管外界普遍質疑該方法是否能真正支援 2 奈米量產，但華為近年的技術佈局顯示其並未放棄先進製程，而是以多種路線同時推進：
- 2023 年提交 20 項 GAA（環繞閘極）技術專利，直接對應 2 奈米世代。
- 申請與 1 奈米以下節點 相關的 CFET（互補場效電晶體）技術。
- GPU 相關專利爆發性成長：2023 年申請 3,091 件專利，是 Nvidia 的五倍。
這些訊號顯示，華為正透過架構創新、記憶體整合、半導體材料等多面向進行技術跳躍，希望縮短與全球先進製程的差距。
14 奈米也可追上 4 奈米？
報導指出，在中國半導體突破的論述增多之際，中國一名資深業界人士甚至聲稱，只要整合先進記憶體與新架構，14 奈米邏輯晶片的效能也能逼近 Nvidia 的 4 奈米晶片。
雖然這類說法缺乏國際驗證，也未符合目前半導體界普遍認知，但反映出中國內部在制裁壓力下，對「以架構補製程」路線的重視度正在升高。
華為的專利究竟能否成為「DUV 版本的 2 奈米」，仍待更多實驗與產能驗證。但對正面臨美國高度科技封鎖的中國而言，這段專利內容象徵著一種可能性，即便缺乏 EUV，也可能以製程重組方式接近先進製程門檻。
（首圖來源：Flickr/Web Summit CC BY 2.0）
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