為了在次世代半導體市場中搶佔主導地位，韓國三星的晶圓代工部門近期確立了技術藍圖，宣佈將於 2031 年正式量產 1 奈米的先進製程。這項全新製程技術，不僅是三星縮小與全球代工霸主台積電技術差距的核心戰略，更是其未來吸引全球大型科技公司訂單的關鍵武器。
根據韓國經濟日報的透露，三星電子晶圓代工部門已經制定了明確的計畫，預計在 2030 年完成 1 奈米半導體製程的研究與開發，並隨後於 2031 年正式導入量產。預計量產後的 1 奈米晶片比起三星現行最先進的 2 奈米技術，其元件寬度縮減了一半，整體製程的難度將呈指數級上升。
而且為了克服 1 奈米製程帶來的物理極限挑戰，三星計畫在縮小元件體積的同時，還將導入名為「叉狀片」（Forks heet）技術的全新結構。在先前的 3 奈米與 2 奈米製程中，三星主要採用的是 「環繞閘極（GAA, Gate-All-Around）」 技術，透過將電流流動的路徑從傳統的3個面增加到4個面，藉此將電力效率最大化。然而，1 奈米製程將採用的叉狀片技術則是 GAA 技術的進階版，其核心概念是將 GAA 元件之間的距離縮小到極限。因此，這項技術就像是在 GAA 元件之間建立起不導電的絕緣牆。在此架構下，在相同的晶片面積下，叉狀片技術能夠配置更多數量的運算元件，從而大幅提升晶片效能與空間利用率。
報導表示，儘管三星電子晶圓代工部門目前位居全球市場第二，但面對佔有全球近 70% 市佔率的絕對霸主台積電，雙方在規模上仍有約 10 倍的巨大差距。然而，三星並未放棄追趕的步伐。據了解，一路獨領風騷的台積電同樣也計畫在 2030 年之後，於 1 奈米製程中導入叉狀片技術。業界分析指出，三星此番明確設定出 2030 年實現 1 奈米製程的路線圖，正是為了展現其具備與台積電展開對等技術競爭的實力與準備。
事實上，自三星電子於 2019 年發布要到 2030 年成為系統半導體第一的願景以來，便始終堅持在先進製程領域緊追台積電的策略。回顧過去的技術里程碑，三星在 2019 年領先全球首次引入了 7 奈米極紫外光 （EUV） 微影製程。隨後更在 2022 年，成為全球首家在 3 奈米製程中導入 GAA 元件技術的晶圓代工廠。然而，業界相關人士對此評論表示，雖然在現實層面上，三星電子要在短期內的營收或生產規模上超越台積電並不容易，但在技術創新的層面上，雙方始終保持著激烈的競爭態勢。
除了未來的 1 奈米技術，三星在目前最尖端的 2 奈米製程上也正加速推進，並針對大型客戶的需求推出多樣化的改良製程。為了量產特斯拉的 2 奈米 AI6 晶片，三星正專門開發名為「SF2T」的客製化製程。這款備受矚目的晶片預計將從 2027 年開始，於三星位於美國德州泰勒市（Taylor）的全新晶圓代工廠進行生產。
此外，為了滿足三星自家系統 LSI 事業部新款智慧型手機應用處理器 （AP） 的生產需求，三星也正在加快全新 2 奈米製程的研發腳步，包含預計於 2026 年啟用的 「SF2P」 製程，以及計畫於 2027 年正式投入運作的 「SF2P+」 製程。目前，市場消息傳出，三星 2 奈米製程的最高良率已經成功突破 60%，相比 2025 年下半年的 20% 有了顯著的提升。隨著生產效率的大幅提升，市場對於三星晶圓代工部門在 2026 年實現轉虧為盈的目標也頗為期待。
(首圖來源：shutterstock)
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