韓國媒體 The Elec 報導，業界消息指出，三星 17 日停止接受特定低功耗行動 DRAM 產品（LPDDR4 及 LPDDR4X）新訂單。三星未來將僅生產先前已接獲的訂單數量產品，之後這些產品將正式進入產品生命週期結束狀態停產。
LPDDR（低功耗雙倍資料率記憶體） 的運作電壓低於標準型 DRAM，目前廣泛應用於智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等行動裝置中。因此，考量到最終訂單的生產時程，LPDDR4 與 LPDDR4X 的生產作業預計將維持至 2026 年底。然而，從 2027 年第一季開始，三星預計將全面啟動製造產線的轉換作業。
LPDDR4 與 LPDDR4X 投入市場量產已約 8~10 年。觀察家指出，由於客戶需求持續不減，訂單開放期比原先預期的還要長。這雖然保障了客戶端的供應鏈穩定，卻也延遲了三星轉換生產線的進度。隨著舊款庫存逐步耗盡，三星預計將全面轉向 LPDDR5。在效能表現上，LPDDR5 的傳輸速度最高可達 6.4 Gbps，比最高速度 4.3 Gbps 的 LPDDR4X 快上約 50%。
舊產品淘汰將迫使已確保庫存的客戶重新修正長期產品規劃。目前，三星電子的 MX（行動通訊）部門以及高通（Qualcomm）等企業，仍在其部分晶片中使用 LPDDR4 與 LPDDR4X，例如三星自家的應用處理器 Exynos 1330 即同時支援 LPDDR4X 與 LPDDR5。此波轉型未來可能導致後續生產的裝置，例如 Galaxy A17 手機等在效能上出現差異。
為了因應提早到來的產品停產計畫，部分客戶正加速次世代晶片的開發腳步。就主要致力於開發先進駕駛輔助系統 （ADAS），以及車載資訊娛樂系統（IVI）等車用半導體領域的 IC 設計公司 Telechips 來說，從 2026 年起便開始修改其晶片設計，以支援 LPDDR5 與 LPDDR5X，該公司。有業界人士透露，市場上雖已確保 2026 年的 LPDDR 供應，但未來的晶片將會設計成支援更先進的記憶體。
逐步淘汰 DRAM 與 NAND 快閃記憶體等部分產品，三星近期也正積極重新配置生產線。以華城廠區的 Line 12 產線為例，目前正逐步停止生產 2D NAND 快閃記憶體，並轉型為處理金屬互連成型及半導體製造中的最終步驟的 1c DRAM 後段製程產線，以解決生產瓶頸。
(首圖來源：三星)
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報
