台積電發表最新製程與先進封裝藍圖，維持市場領先者地位

台積電於年度技術論壇上發表旗下最新技術藍圖，全面展示其在先進邏輯製程、3D IC 系統整合以及特殊製程技術的突破性進展，為應對AI與高效能運算（HPC）時代的強勁需求打下穩固基礎。

先進邏輯製程：N2進入量產，A14與A13引領埃米時代

台積電指出，其N2製程已於2025年第四季開始量產，N2P則計畫如期於2026年下半年開始量產。而搭載超級電軌（Super Power Rail）技術的A16預計於2026年下半年生產就緒。為提供客戶更多元的選擇，進一步優化的N2X與N2U將分別於2027年與2028年量產；其中N2U相較於N2P，速度加快3%至4%、功耗降低8%至10%，並提升約3%的邏輯密度，為AI、HPC與智慧型手機應用提供絕佳的均衡選擇。

在備受矚目的埃米級製程方面，A14預計於2028年如期進入量產。作為第二代奈米片電晶體，A14採用了NanoFle Pro技術，相較於N2，在相同功耗下速度最高提升達15%；在相同速度下，最多可降低30%功耗，其邏輯密度與晶片密度更分別提升至N2的1.23倍與1.2倍。A13則預計於2029年進入生產，其設計規則可與A14完整向後相容，讓客戶能將現有A14設計快速轉移，且面積比A14進一步節省了6%。此外，搭載超級電軌的A12則計畫於2029年量產。

突破極限：CFET電晶體架構與二維材料研發

隨著物理微縮面臨挑戰，在奈米片架構之後，台積電積極研發互補式場效電晶體（CFET）全球最小的可運作6T SRAM記憶體單元，其布局面積較傳統奈米片設計縮小約30%，並成功展示由約1,000個電晶體組成之CFET環形振盪器（ring oscillators）。此外，在低維度二維（2D）材料方面也取得顯著進展，將2D通道的電流密度提升了三倍，為未來的微縮與低功耗晶片奠定基礎。

先進封裝與矽光子：CoWoS放大14倍、COUPE光子引擎量產在即

為了支撐龐大的AI運算量，台積電宣布生產全球最大的5.5倍光罩尺寸CoWoS，良率超過98%。未來幾年，台積電預計於2028年量產可整合20個HBM（高頻寬記憶體）、14倍光罩尺寸的CoWoS，而大於14倍光罩尺寸且整合24個HBM的版本將於2029年就緒。

在系統級晶圓（SoW）技術上，台積電可將中介層尺寸放大超過40倍光罩尺寸，最多整合64個HBM與16個運算晶片。目前用於邏輯晶粒整合的SoW-P已自2024年起量產，結合HBM的SoW-X預計於2029年就緒。在3D堆疊的SoIC技術方面，相較於2.5D的CoWoS，它提供了56倍的連接密度與5倍的功耗效率。具備6μm接合間距的版本已於2025年量產，並將逐步推進至2028年量產的N2對N2堆疊，以及2029年的A14對A14堆疊（4.5μm間距）。

矽光子技術同樣帶來震撼。緊湊型通用光子引擎（COUPE）技術若搭載於共同封裝光學（CPO）中，可提供4倍的功耗效率並減少90%延遲；若建構在中介層上，更能達到10倍功耗效率與減少95%延遲的驚人表現。首款採用COUPE技術的200Gbps微環調變器將於2026年量產，台積電並設立了在2030年達成4Tbps/mm頻寬密度的長期目標。

特殊製程：全面滿足車用、射頻與微型顯示器需求

在特殊製程方面，車用技術N3A已經通過驗證，下一代車用製程N2A預計於2028年第一季通過車規驗證。針對射頻（RF），台積電最新的RF技術能為RF SoC產品降低39%功耗與33%面積，大幅優化AI穿戴裝置體驗。

非揮發性記憶體部分，12奈米RRAM已準備接受客戶設計，預計2026年底將通過車用驗證；16奈米MRAM也已準備好支援車用MCU。針對顯示器，台積電推出了專為OLED和Micro Display設計的16HV平台，相較前代28HV，能為高階智慧型手機驅動IC降低35%功耗，並為AI眼鏡縮小40%顯示面積及降低26%功耗。

台積電在技術論壇上對新一代技術的發表，目的在再次確立其在半導體產業的領航者地位，透過推進業界最先進的製程技術與3DFabric平台解決方案，台積電正強力加速全球客戶的產品創新，攜手迎接AI與先進運算交織的未來時代。

(圖片來源：台積電)