三星擬開發「行動版 HBM」！結合 VCS、FOWLP 封裝瞄準邊緣 AI

高頻寬記憶體（HBM）未來可能不再侷限於伺服器使用，根據韓媒最新報導，三星正在開發一種獨特的封裝技術，讓智慧手機與平板也能搭載這類超高速 DRAM。三星目標是將行動裝置打造成具備強大 AI 運算能力的終端設備。

隨著 HBM 市場供不應求、獲利持續攀升，三星顯然不想錯過任何潛在市場。該公司這次的目標，是開發專為智慧手機與平板量身設計的 HBM 技術，同時避免空間與功耗上的額外負擔。

傳統行動 DRAM 採用銅線鍵合（Copper Wire Bonding）技術，但由於 I/O 端子數量僅約 128 至 256 個，在提升效率與降低發熱時，容易產生嚴重訊號損耗。韓媒 ETNews 指出，三星計劃結合超高長寬比銅柱（Copper Pillars）與扇出型晶圓級封裝（FOWLP）技術，讓 HBM 得以應用於智慧手機與平板中。

（Source：ETNews）

透過三星開發的 Vertical Copper Post Stack（VCS）技術，即使在行動裝置有限的空間內，HBM 仍可順利堆疊與運作。VCS 是透過 DRAM 以「階梯式」結構堆疊，並以銅柱填補間隙。報導指出，三星已將 VCS 封裝中的銅柱長寬比，從原本的 3–5:1 大幅提升至 15:1 至 20:1，藉此提高頻寬表現。

不過，這種做法也會讓銅柱直徑變更細。若銅柱直徑低於 10 微米，可能出現彎曲甚至斷裂問題，因此 FOWLP 技術便成為關鍵。FOWLP 可透過向外延伸銅線結構，提高整體結構強度與可靠性，同時也能增加 I/O 端子數量，進一步帶來約 30% 的頻寬提升。

由於三星目前仍在開發這項技術，因此尚無法確定行動版 HBM 何時正式商用。

依照目前時程推測，三星可能最快會在 Exynos 2800 導入相關技術。據傳，Exynos 2800 將是三星首款搭載自研 GPU 的 SoC；另一個可能時點則是後續的 Exynos 2900。

另有傳聞稱，蘋果正研究將 HBM 技術導入 iPhone，但不確定是否會向三星採購相關方案。華為同樣正在探索此技術，不過三星是否願意進入中國 OEM 廠商供應鏈，仍存在高度不確定性。

（首圖來源：shutterstock）