市場傳台達電攜手英飛凌，布局下一代電源關鍵：碳化矽

近期市場傳出台達電與功率半導體大廠英飛凌深化合作，雙方合作範圍可望延伸至碳化矽（SiC）等關鍵功率元件，引發市場關注台達在下一代 AI 資料中心電力基礎設施的布局。截至截稿前，台達尚未就相關市場傳聞回應；目前公司亦正值法說會前緘默期。

隨著 AI 資料中心機櫃功率持續攀升，800 V 高壓直流（HVDC）已逐步成為新一代供電架構發展方向，未來更將朝固態變壓器（SST）演進。

相較於傳統矽（Si）功率元件，碳化矽具備耐高壓、高效率及低損耗等特性，可有效提升中高壓電力轉換效率，因此被視為 800 V HVDC 及 SST 的核心功率元件之一，也是支撐未來 MW 等級 AI 資料中心的重要技術。

英飛凌是全球主要功率半導體供應商之一，在矽（MOSFET）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等功率元件均具備完整產品布局，產品廣泛應用於 AI 資料中心、工業自動化、再生能源及電動車等領域。近年隨著 AI 電力需求快速成長，英飛凌也積極投入高效率電源管理及高功率密度解決方案，成為全球 AI 電源供應鏈的重要廠商。

事實上，雙方早已建立合作基礎。英飛凌去年宣布與台達共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（Vertical Power Delivery，VPD）模組，結合英飛凌 OptiMO MOSFET 晶片與嵌入式封裝技術，以及台達在電源模組設計與製造的能力，打造高效率、高功率密度的電源解決方案，並表示將持續合作開發可支援未來 MW 等級 AI 機櫃的新一代供電架構。

值得注意的是，台達近年持續布局 SST 技術。台達總裁張訓海今年於 GTC 2026 表示，公司早在過去便投入 SST 研發，除目前積極推動 800 V 電源架構外，SST 預計最慢將於 2027 年迎來市場爆發。

市場認為，若雙方合作進一步深化至 SiC 領域，將有助於支撐台達布局 SST 與下一代 AI 電力基礎設施所需的關鍵功率元件。

（首圖來源：台達電）