當前半導體製程微縮到 10 奈米節點以下，包括開始採用的 7 奈米製程，以及未來 5 奈米、3 奈米甚至 2 奈米製程，EUV 極紫外光光刻技術已成為不可或缺的設備。藉由 EUV 設備導入，不僅加快生產效率、提升良率，還能降低成本，使不僅晶圓代工業者積極導入，連 DRAM 記憶體的生產廠商也考慮引進。為了因應製程微縮的市場需求，全球主要生產 EUV 設備的廠商艾司摩爾（ASML）正積極開發下一代 EUV 設備，就是 High-NA（高數值孔徑）EUV 產品，預計幾年內就能正式量產。
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新一代 High-NA EUV 設備，艾司摩爾預計 2025 年量產 |
作者
Atkinson |
發布日期
2019 年 07 月 01 日 15:15 |
分類
國際貿易
, 晶圓
, 晶片
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當前半導體製程微縮到 10 奈米節點以下，包括開始採用的 7 奈米製程，以及未來 5 奈米、3 奈米甚至 2 奈米製程，EUV 極紫外光光刻技術已成為不可或缺的設備。藉由 EUV 設備導入，不僅加快生產效率、提升良率，還能降低成本，使不僅晶圓代工業者積極導入，連 DRAM 記憶體的生產廠商也考慮引進。為了因應製程微縮的市場需求，全球主要生產 EUV 設備的廠商艾司摩爾（ASML）正積極開發下一代 EUV 設備，就是 High-NA（高數值孔徑）EUV 產品，預計幾年內就能正式量產。
