劉德音：台積 3 奈米製程進度超前

台積電董事長劉德音近日於《2021 年國際固態電路會議（ISSCC 2021）》開場線上專題演說時表示，台積電 3 奈米製程依照計畫時程發展，甚至比預期進度超前了一些，有信心包括 3 奈米及未來主要製程節點將如期推出並進入生產。

劉德音在「釋放創新未來（Unleash the Future of Innovation）」的演說主題中指出，半導體製程微縮的腳步並未減緩，積體電路的功耗、性能及電晶體密度仍持續進步，台積電的 3 奈米比預期進度超前，至於 2 奈米之後的電晶體架構將轉向環繞閘極（GAA）的奈米薄片（nano-sheet）架構。

劉德音也指出，藉由紫外光微影（EUV）技術，產業界已打破前一代微影技術的尺寸限制，但產量仍是一個問題；EUV 可使用較少層數的光罩，使成本達到理想的水準，但 EUV 功耗極大，為此，台積電已取得 350W 照明光源技術突破，將可支援 5 奈米量產甚至到 1 奈米節點。

在材料技術革新方面，劉德音指出，材料的創新將推動晶片技術持續向前邁進，低維度材料包括六方氮化硼（hBN）等 2D 材料，已接近實現量產；台積電已與台灣學界團隊合作，成功以大面積晶圓尺寸生長單晶氮化硼，成果並已獲刊於國際學術期刊《Nature》；而低溫製程則將實現晶圓級的邏輯與記憶體活性層（active layer）堆疊，打造真正的 3D IC；此外，他也強調了小晶片（Chiplet）在實現特定領域解決方案上的重要性。

展望未來，劉德音表示，3D 晶片堆疊會是重點，而透過台積電的 SoIC（system on IC）、低溫鍵合（bonding）製程，可實現 3D 晶片堆疊。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）