應材提出三大關鍵技術,加速 DRAM 微縮

作者 | 發布日期 2021 年 05 月 12 日 17:59 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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應材提出三大關鍵技術,加速 DRAM 微縮

應用材料近日發布一款材料工程解決方案,為記憶體客戶提供三種新方法,以進一步微縮 DRAM 並加速改善晶片效能、功耗和單位面積成本和上市時間(PPACt)。

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