中國砸 10 兆人民幣發展第三代半導體,台灣競爭有壓力也有利基 作者 Atkinson | 發布日期 2021 年 09 月 23 日 9:30 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 國際觀察 | edit 近幾年,在美中關係緊張,貿易衝突增溫的情況下,中國受到美國在技術上的限制,於第一、二代半導體的發發展上遭遇瓶頸,這也成為中國半導體產業發展上永遠的痛。不過,隨著電動車市場與產品快速的發展,以氮化鎵 (GaN) 與碳化矽 (SiC) 為主要元素的第三代半導體的需求跟著大幅提升,甚至成為未來半導體產業發展的主流之一。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: ANSYS , 中美晶 , 台積電 , 意法半導體 , 是德科技 , 氮化鎵 , 汎銓科技 , 漢民 , 碳化矽 , 第三代半導體