三星研究以電鐵材料降低 NAND Flash 耗電量，最多達 96% |
作者
Atkinson|發布日期
2025 年 11 月 28 日 15:50 |
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為積極應對人工智慧（AI）時代日益嚴峻的電力危機，韓國三星旗下的先進技術研究院（SAIT）近日宣布了一項突破性的基礎技術，也就是研究人員在全球率先發現了一種核心機制，能夠將現有 NAND Flash 的功耗降低高達 96%，有望為解決能源消耗問題做出重大貢獻。而這項重要的研究成果已由 SAIT 與半導體研究所的 34 位研究人員共同撰寫，題為「用於低功耗 NAND Flash 的鐵電晶體管」論文，並成功發表於《自然》國際學術期刊上。
ASML 跨足半導體後段製造市場，為什麼能拓展全方位微影概念？ |
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作者
Atkinson|發布日期
2025 年 11 月 27 日 11:30 |
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隨著人工智慧（AI）晶片和高效能運算（HPC）需求的爆發，半導體產業正加速邁向異質整合與先進封裝的時代。傳統上，微影技術多聚焦於前端晶圓製造，然而，後段封裝所需的微影製程能力，已成為下一代系統單晶片（SoC）設計的關鍵瓶頸。為了解決晶片尺寸不斷擴大及晶圓翹曲（warpage）帶來的製程難題，全球微影設備領頭羊艾司摩爾（ASML）近日宣布推出新型微影機台 XT:260，大幅擴大了曝光場（Exposure Field）的範圍，顯著提升先進封裝製程的效率與良率。
為什麼有了極致先進 EUV，半導體製程仍對 DUV 不可或缺？ |
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作者
Atkinson|發布日期
2025 年 11 月 27 日 11:00 |
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全球半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)日前在一場公開活動中，公布了其新一代高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV，HNA）微影技術的最新進展與市場採用狀況，目的在消除市場對其技術成功性的疑慮。而且，ASML 也宣布，已在總部設立 HNA 專門組織並投入運作。
三星 2 奈米良率據稱達 60%，拿下中國兩大礦機商訂單 |
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作者
Atkinson|發布日期
2025 年 11 月 26 日 16:30 |
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全球半導體產業競爭激烈，尤其在先進製程領域。據最新消息指出，三星電子在 2 奈米 Gate-All-Around（GAA）技術上取得重大進展。不僅其下一代旗艦移動應用處理器（AP）Exynos 2600 的良率已達到令人矚目的 50% 至 60%，同時，三星的 2 奈米代工業務更成功從兩大中國加密貨幣礦機製造大廠手中，獲得了可觀的晶片生產訂單，預計將為其帶來數億美元的年營收，顯著提升三星在先進代工市場的地位。
