英特爾晶圓代工達成先進半導體製造邁出重大里程碑,其位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地,英特爾研發人員已完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光微影設備(High NA EUV)組裝。
英特爾完成首套 High-NA EUV 組裝,2027 年用於生產 intel 14A 製程 |
作者 Atkinson|發布日期 2024 年 04 月 19 日 9:10 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 國際觀察 |