SK 海力士計劃今年底開始量產下一代 375 層 3D NAND 快閃記憶體,並首度在高層數 NAND 製程中導入鉬(Molybdenum,化學符號 Mo)材料,以提升產品性能與堆疊密度。 繼續閱讀..
SK 海力士今年底量產 375 層 NAND,首導入「鉬材料」提升堆疊密度 |
| 作者 林 妤柔|發布日期 2026 年 06 月 11 日 15:23 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 |



