Tag Archives: 美光

需求是供應三倍，三星要縮減 NAND 與晶圓代工產線改生產 DRAM
作者 |發布日期 2025 年 11 月 21 日 16:45 |
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分類 Samsung , 半導體 , 晶片

面對全球人工智慧（AI）基礎設施投資快速擴張所帶動的 DRAM 需求激增，韓國三星電子正採取重大策略轉變，該公司計劃將位於平澤和華城園區的部分 NAND 快閃記憶體生產線，轉換為 DRAM 生產設施，以應對市場的強勁需求。此外，三星亦規劃將平澤四廠（P4）設立為專門的 DRAM 生產線，並應用最新的製程技術（1c），以期最大化公司獲利。

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記憶體產業正經歷環境重組，獲利至上使過去週期性循環難以再預測市場趨勢
作者 |發布日期 2025 年 11 月 20 日 11:00 |
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分類 半導體 , 記憶體

記憶體產業近期正經歷一場深層次的結構性轉變，這不再是週期性的波動或短暫的市場修正。對此，半導體商業情報公司（Semiconductor Business Intelligence）創辦人 Claus Aasholm 明確指出，過去數十年穩定 DRAM 價格的長久均衡關係已經瓦解，市場正在進行 「重組」。

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記憶體業明年資本支出仍保守，TrendForce：供不應求延續至 2026 全年
作者 |發布日期 2025 年 11 月 14 日 12:40 |
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分類 半導體 , 國際觀察 , 記憶體

近期記憶體市場價格狂飆，但從近期消息來看，記憶體製造商預計不會大幅增加標準記憶體的產量，以滿足 AI 產業的需求。研調機構 TrendForce 調查，記憶體廠商正限制在擴充產能上的資本支出，轉而專注於製程技術研發、透過堆疊提升晶片密度，以及生產利潤更高的高頻寬記憶體（HBM）。 繼續閱讀..

記憶體產業 2026 年資本支出仍顯保守，挹注位元產出成長有限
作者 |發布日期 2025 年 11 月 13 日 14:37 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

TrendForce 調查顯示，記憶體平均銷售價格（ASP）持續提升，供應商獲利也增加，DRAM 與 NAND Flash 之後資本支出會持續上漲，但 2026 年位元產出成長挹注有限。DRAM 和 NAND Flash 產業投資重心逐漸轉變，從單純擴充產能轉向製程升級、高層數堆疊、 混合鍵合及 HBM 等高附加價值產品。 繼續閱讀..

時隔 30 年，SK 海力士通用 DRAM 營利率可能突破 70%
作者 |發布日期 2025 年 11 月 12 日 10:00 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

韓國媒體報導，由於伺服器、個人電腦（PC）和行動裝置所使用的通用型 DRAM 價格持續上漲，市場分析普遍預期，記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）的通用 DRAM 營業利益率將可能突破 70%。此一極高的獲利水準，是繼 1995 年記憶體超級景氣循環以來，時隔近 30 年再次出現。

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