Tag Archives: 美光

震後產出受制,記憶體後勢怎麼看?

作者 |發布日期 2024 年 04 月 08 日 10:25 | 分類 半導體 , 記憶體 , 零組件

清明連假前一天的 403 大地震,加上餘震不斷,連假四天記憶體廠仍在加速修復,員工也犧牲假期回廠搶修。但即便主要設備沒有因地震而受損,但在製程中的晶圓必定有破片報廢的狀況,產能從地震時稼動瞬降到全部再拉升回原先水準,中間也產生產能的損耗。尤其台灣是美光的生產重鎮之一,其他還有南亞科、華邦電等利基型的 DRAM 產品,地震損耗產能等於是強迫性的減產,第二季 DRAM 產能受制,原先市調機構預估,第二季標準型 DRAM 合約價漲幅會收斂至 3-8% 的水準,但震後三大原廠 3 日立即停止報價,威剛董事長陳立白持續看好 DRAM 價格上漲趨勢,看好第二季 DRAM 合約價漲幅 8% 以上。 繼續閱讀..

禁令仍未解,美光以投資新工廠換取中國政府鬆綁可能性

作者 |發布日期 2024 年 04 月 03 日 18:15 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 公司治理

2023 年 5 月,中國政府以未具體說明的網路安全問題為由,美光的記憶體被禁止銷售用於政府單位。但時間來到 2024 年,儘管中國政府的禁令尚未解除,但美光已經宣布在中國開設一家新的記憶體封裝和測試工廠,並舉行隆重的開幕典禮。

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美光宣布新 1-gamma 製程 DRAM 已試產

作者 |發布日期 2024 年 03 月 22 日 12:15 | 分類 半導體 , 晶片 , 材料、設備

美商記憶體大廠美光在台北時間 21 日發表截至 2 月 29 日 2024 財年第二季財報,DRAM 和 NAND Flash 等產品未來與現狀介紹。DRAM 方面,美光導入 EUV 製程下代 1-gamma 製程 DRAM 已試產,下代 NAND Flash 快閃記憶體開發也按計畫進行,目標 2025 年達成量產目標。

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美光財報亮眼,帶動台股記憶體族群股價同慶

作者 |發布日期 2024 年 03 月 21 日 13:45 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

美商記憶體大廠美光 (Micron ) 今日清晨公布 2024 財年第二季財報,因受惠 AI 硬體需求強烈帶動,使得整體營收成績比市場預期強勁,整體營運也意外轉虧為盈,連五季虧損的陰霾至此結束,加上預期接下來第三季營收更加強勁,美光在美股盤後股價大漲 18%,帶動今日台股記憶體類股走勢。

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美光:HBM 今年售罄,明年多數產能已預訂

作者 |發布日期 2024 年 03 月 21 日 10:00 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

美光科技(Micron Technology Inc.)執行長 Sanjay Mehrotra 20 日在財報電話會議表示,人工智慧(AI)伺服器需求正推動高頻寬記憶體(HBM)、DDR5(D5)和資料中心 SSD 快速成長,這使得高階 DRAM、NAND 供給變得吃緊,進而對所有記憶體和儲存終端市場報價帶來正面連鎖效應。 繼續閱讀..

美光盤後大漲一成拚史高,AI 需求帶動優異財報財測

作者 |發布日期 2024 年 03 月 21 日 9:25 | 分類 AI 人工智慧 , 晶片 , 記憶體

美國記憶體晶片製造商美光科技(Micron Technology Inc.)於美股週三(3 月 20 日)盤後公布 2024 會計年度第二季(截至 2024 年 2 月 29 日為止)財報:營收年增 58%(季增 23%)至 58.2 億美元;非一般公認會計原則(Non-GAAP)每股稀釋盈餘報 0.42 美元、遠優於 2024 會計年度第一季的每股稀釋虧損 0.95 美元以及 2023 會計年度第二季的每股稀釋虧損 1.91 美元。

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2024 全年 HBM 供給位元年增高達 260%,產能占 DRAM 產業 14%

作者 |發布日期 2024 年 03 月 18 日 14:16 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

HBM 售價高昂、獲利高,造就廣大資本支出投資。TrendForce 資深研究副總吳雅婷預估,截至 2024 年底,DRAM 產業規劃生產 HBM TSV 產能約 250K/m,占總 DRAM 產能約 1,800K/m 的 14%,供給位元年成長約 260%。2023 年 HBM 產值占比之於 DRAM 整體產業約 8.4%,至今年底擴大至 20.1%。 繼續閱讀..