Tag Archives: 美光

伺服器記憶體供給仍吃緊,帶動三大原廠第一季營收成長約 10.3%

作者 |發布日期 2018 年 05 月 16 日 14:20 |
分類 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,第一季伺服器記憶體隨著供給吃緊,即便原廠透過產品線調整仍無法有效滿足市場需求下,平均零售價(Average Selling Price)持續上揚,帶動三大記憶體原廠營收成長約 10.3%,來到 69.75 億美元。 繼續閱讀..

平均銷售單價續揚帶動,DRAM 第一季營收季增 5.4% 再創新高

作者 |發布日期 2018 年 05 月 14 日 14:10 |
分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,2018 年第一季的 DRAM 價格走勢,除了繪圖用記憶體(graphic DRAM)受惠於基期較低以及虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫,帶動價格有 15% 顯著上漲外,其餘各應用別的記憶體在第一季約有 3-6% 不等的季漲幅,今年第一季全球 DRAM 總營收較 2017 年第四季成長 5.4%,再創新高。 繼續閱讀..

第二季 eMMC / UFS 價格跌幅加深,下半年隨旺季需求價格回穩

作者 |發布日期 2018 年 05 月 09 日 14:35 |
分類 手機 , 記憶體 , 財經

TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXc hange)調查指出,儘管智慧型手機、筆記型電腦等需求在工作天數回復下較第一季提升,但仍無法抵銷 3D NAND Flash 產能增加及良率改善帶動供給的成長,使供應商面對較高的庫存壓力,不得不進一步向下調整價格。 繼續閱讀..

首款可運作的 DDR5,Cadence、美光、台積電聯手完成 4,400MT/s 速度測試樣品

作者 |發布日期 2018 年 05 月 09 日 8:30 |
分類 記憶體 , 零組件

即便 DDR5 預計在今年夏天,才會由 JEDEC 公布最後正式規範,但是相關廠商早已等不及,利用接近完工的草案版本進行設計量產測試。著名的電子設計自動化公司 Cadence 與 Micron 合作測試第一款可實際運作的 DDR5 控制器與記憶體顆粒,並使用台積電 7 奈米製程製造。 繼續閱讀..

DRAM 產能與效能提升,美光可望取代 SK 海力士成第二大記憶體廠

作者 |發布日期 2018 年 04 月 30 日 17:15 |
分類 Samsung , 國際貿易 , 記憶體

2017 年,雖然 DRAM 需求居高不下,使價格高漲,讓所有 DRAM 廠商的荷包滿滿,但全球 DRAM 三大廠競爭仍有高下之別。三星以在 DRAM 高達 70% 的營業利益率排名龍頭,居次的是營業利益率達 50% 的 SK 海力士,排名第三的美光正急起直追,2017 年營業利益達 49.3%,幾乎與 SK 海力士相差無幾。預估在美光持續努力下,2018 年底前,美光有機會趕上 SK 海力士,成為全球第 2 大記憶體廠。

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三大 DRAM 廠涉嫌操控壟斷價格,面臨集體訴訟

作者 |發布日期 2018 年 04 月 30 日 15:10 |
分類 iPhone , 國際貿易 , 記憶體

2017 年 DRAM 記憶體廠的確過了一個豐收年。在市場供給不足,價格維持高檔的情況下, DRAM 廠商的獲利都讓人驚豔。不過,這樣的豐收年也引來了外界壟斷價格的批評。根據外電報導,全球三大 DRAM 廠包括三星、SK 海力士、以及美光科技就遇到了一樁集體訴訟,被指控聯合壟斷限制 DRAM 的供應,從而以人為方式將零售價格維持在高檔價位。

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中國三大記憶體陣營預計下半年試產,2019 年為中國記憶體生產元年

作者 |發布日期 2018 年 04 月 19 日 13:30 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

全球記憶體市場需求持續不減,國際大廠紛紛投入擴產行動。包括龍頭三星在 NAND Flash 方面,宣布中國西安開始第 2 期的建設工程,DRAM 上也有意在南韓平澤(Pyeongtaek)廠大幅生產。而另一家南韓大廠 SK 海力士,除了生產 NAND Flash 的 M15 廠預期在 2019 年正式營運之外,在 DRAM 部分也斥資 86 億美元,將在中國無錫興建第 2 期廠房。

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趙偉國:將投資人民幣千億元,複製 2 個武漢新芯

作者 |發布日期 2018 年 04 月 09 日 18:00 |
分類 中國觀察 , 手機 , 晶片

甫傳出請辭中國清華紫光集團旗下紫光控股與紫光國芯兩家子公司董事長及董事職務的趙偉國,9 日出席於中國深圳召開的第 6 屆中國電子資訊博覽會中表示,未來將整合中國國內的資源,在武漢、南京、成都合計投資人民幣 1,800 億元,進行記憶體基地的研發與建置。也就是未來將要藉由大規模的投資,在南京及成都兩地成功複製兩個武漢新芯。

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趙偉國連辭兩家子公司董座,象徵購併為主的「紫光模式」走向盡頭

作者 |發布日期 2018 年 04 月 09 日 10:40 |
分類 中國觀察 , 晶片 , 處理器

中國清華紫光集團董事長趙偉國連辭集團旗下兩家公司紫光控股及紫光國芯兩家公司的董事長及董事職務,雖然趙偉國自己表示,是因為工作太忙,無法兼顧而請辭,但是根據的外界猜測,趙偉國請辭的原因,恐怕與近幾年所主導的海外購併案進展不順,與集團發展策略的改變有關。因此,趙偉國的請辭,似乎也象徵著中國半導體購併的策略已經逐步走到了盡頭。

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搶攻全球 NAND Flash 市場,美光宣布在新加坡興建第 3 工廠

作者 |發布日期 2018 年 04 月 08 日 12:00 |
分類 晶片 , 記憶體 , 財經

在市場 NAND Flash 快閃記憶體供應仍有缺口,導致價格已就維持高檔的情況下,包括國際大廠三星、SK 海力士、東芝,以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產以增加產能之際,7 日美商記憶體大廠美光(Micron)也宣布擴產,以補足市場供不應求的缺口。

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三星中國西安 NAND Flash 擴產動工,預計 2019 年落成啟用

作者 |發布日期 2018 年 03 月 28 日 18:50 |
分類 伺服器 , 國際貿易 , 手機

在當前 Nand Flash 快閃記憶體仍舊供不應求,市場價格依舊居高不下的情況下,日前全球 Nand Flash 快閃記憶體龍頭企業的南韓三星,日前宣布將在本月底正式動工的中國西安 Nand Flash 快閃記憶體廠的擴建計畫,28日正式動工,預計將在 2019 年完工啟用。

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