中國記憶體製造大廠長江存儲(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.),傳出今年產出將倍增,並計畫投產先進晶片,槓上三星電子(Samsung Electronics Co.)等領導業者。 繼續閱讀..
長江存儲今年拚超車三星美光?傳年中試產 192 層 NAND |
作者 MoneyDJ|發布日期 2021 年 01 月 12 日 14:45 | 分類 晶圓 , 晶片 , 零組件 |
三星轉移 DRAM 產能給 CMOS,有機會帶動 DRAM 調漲 |
作者 Atkinson|發布日期 2021 年 01 月 07 日 12:45 | 分類 Samsung , 晶片 , 記憶體 | edit |
根據外媒報導,由於晶圓代工產能持續緊缺,特別是的在成熟製程的 8 吋晶圓產能出現供不應求的情況,導致了電源管理 IC、驅動 IC、MOSFET、CMOS 圖像感測器、以及部分 MCU 等主要依賴於 8 吋晶圓產能生產的產品缺貨。因此,作為全球第二大的 CMOS 圖像感測器廠商的南韓三星,為了持續保持 CMOS 圖像感測器的供應不中斷,傳出計畫將部分 DRAM 產能轉給 CMOS 圖像感測器生產的做法。
2021 年第一季 NAND Flash 仍供過於求,估季跌幅約 10%~15% |
作者 TechNews|發布日期 2020 年 12 月 14 日 14:40 | 分類 儲存設備 , 記憶體 , 財經 | edit |
據 TrendForce 旗下半導體研究處指出,2021 年 NAND Flash 各類產品總需求位元數包含 Client SSD(31%)、Enterprise SSD(20%)、UFS 與 eMMC(41%)與 NAND Wafer(8%),由於供應商數量遠高於 DRAM,加上供給位元成長的幅度居高不下,預計 2021 年價格仍將逐季下跌。展望明年第一季,在三星、 長江存儲(YMTC)、SK 海力士與英特爾(Intel)對位元產出皆較為積極的情況下,NAND Flash 供過於求態勢將更加明顯,位元產出的季增幅達 6%,預估價格將季跌約 10%~15%。 繼續閱讀..
華邦電受惠 DRAM、Nor Flash 市場供應緊俏,股價表現強勢 |
作者 Atkinson|發布日期 2020 年 12 月 07 日 12:00 | 分類 公司治理 , 國際貿易 , 記憶體 | edit |
受到上週美系 DRAM 記憶體廠商美光的台灣林口工廠發生無預警跳電,在完全復工時間需要數天,以致衝擊當前的 DRAM 市場供應狀況下,市場調查研究機構 TrendForce 的旗下半導體研究處調查顯示,在美光工廠發生跳電停產的隔天,DRAM 的市場價格均呈現大漲的狀態。而這結果也使得美系外資在最新研究報告中指出,因看好華邦電在受惠於 DRAM 市場供應問題,並在未來 Nor Flash 的持續價格上漲情況下,調高了華邦電的目標價為每股新台幣 29 元,也進一步帶動了華邦電在 7 日股價一度攻上漲停的走勢。