三星製造出首個 10 奈米以下 DRAM 工程裸晶，2028 年量產

根據韓國媒體報導，三星電子已成功製造出全球首款製程低於 10 奈米的「個位數奈米」DRAM 工程裸晶，代表著記憶體產業正式突破長久以來的物理極限限制。

韓國媒體《The Elec》報導指出，長期以來，DRAM 產業的微縮技術主要依賴 10 奈米等級的製程（世代涵蓋 1x、1y、1z、1a、1b、1c 至 1d）。如今，三星正全力開發全新的「10a」製程技術。市場分析指出，10a 製程將使線寬進一步縮小至 9.5 到 9.7 奈米之間，成為業界首個跨入個位數奈米等級的次 10 奈米（sub-10nm）製程技術。日前，三星已經 10a 製程生產晶圓後，在檢查裸晶特性時成功確認了工程裸晶的誕生，目前正計畫透過調整製程條件來迅速提升並確保良率。

報導表示，這項革命性突破的兩大核心技術，在於首度應用了「4F 平方單元結構（4F Square Cell Structure）」以及「垂直通道電晶體（VCT，Vertical Channel Transistor）」製程。現今的 DRAM 產品普遍採用 6F 結構（即 3Fx2F 的長方形區塊），而全新的 4F 結構則轉變為更緊湊的方形設計（2Fx2F）。僅透過這項結構上的改變，就能將每個積體電路的單元密度大幅提升 30% 至 50%，這不僅能提供更龐大的儲存容量，更能有效節省功耗。

此外，新款 DRAM 在材料應用上也有所革新，捨棄了過去產品使用的矽，轉而採用銦鎵鋅氧化物（IGZO）等新型材料。由於新世代的記憶體單元更為狹窄，導入 IGZO 能有效減少漏電問題，確保資料的良好保存性。

根據三星的發展藍圖，搭載這些新變革的 10a DRAM 預計將於 2026 年完成開發，並將量產時間訂於 2028 年。4F 新結構將在 10a 世代率先採用，並於未來的 10b 與 10c 世代中持續優化。而後續的「10d」世代 DRAM 則預計將全面邁入「3D DRAM」技術領域，並計劃於 2029 至 2030 年間問世。

至於，在市場競爭態勢方面，三星的競爭對手美光（Micron）目前選擇暫停其 4F 計畫，決定直接等待未來的 3D DRAM 技術。與此同時，缺乏先進微影設備的中國製造商在生產 3D DRAM 上將面臨不小的挑戰。不過，由於 3D DRAM 的設計可能與 3D NAND 有相似之處，這為中國廠商保留了提升製程的一線生機。

(首圖來源：三星)