聯電攜手美商，合作技術開發 MRAM 及 28 奈米相關產品 |
作者
MoneyDJ|發布日期
2018 年 08 月 07 日 10:30 |
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聯電 6 日與 ST-MRAM（自旋轉移力矩磁阻 RAM）廠商美商 Avalanche 共同宣布，兩家公司將成為合作伙伴，共同開發和生產取代嵌入式記憶體的磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）。同時聯電也將透過 Avalanche 的授權提供技術給其他公司，並透過授權提供客戶具有成本效益的 28 奈米嵌入式非揮發性 MRAM 技術。 繼續閱讀..
兆易創新朱一明辭任執行長，改接合肥長鑫執行長衝 DRAM 量產 |
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作者
Atkinson|發布日期
2018 年 07 月 18 日 17:00 |
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根據中國媒體報導，全力發展記憶體產業的中國企業，近期又開始有新產品投入量產。那就是合肥長鑫日前宣布已經開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體。巧的是，就在合肥長鑫宣布開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體之後，兆易創新的董事長兼執行長的朱一明，也隨即在 7 月 16 日宣布辭去兆易創新執行長職務，由合肥長鑫原執行長王寧國的手中，正式接任合肥長鑫存儲及睿力執行長，顯示中國對發展記憶體產業的重視，並希望借助朱一明的經驗，來打造中國記憶體產業版圖。
【最新】聯電控告美光侵權官司勝訴，美光中國市場恐面臨嚴重衝擊 |
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作者
Atkinson|發布日期
2018 年 07 月 03 日 22:53 |
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針對 2018 年 1 月，晶圓代工大廠聯電分別向中國福州市中級人民法院遞狀，對美光半導體（西安）、美光半導體銷售（上海）、廈門市思明區信通源電腦經營部、廈門安泰勝電子科技等公司提起 3 起訴訟，請求賠償金額總計人民幣 2.7 億元，並請求法院判令相關被告停止製造、加工、進口、銷售、准許銷售被訴侵權產品之行為，且並銷毀全部庫存及相關模具與工具一事，3 日下午判決結果出爐，福州市中級人民法院判決聯電獲得勝訴。
