南韓記憶體大廠三星宣布,4 日正式推出 Flashbolt 的 HBM(高寬頻)DRAM。這是第 3 代 HBM 技術,未來將用於超級電腦、GPU 和各種 AI 應用所需的高性能計算。
三星宣布推出 HBM Flashbolt DRAM,2020 年中投產 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2020 年 02 月 04 日 17:30 | 分類 GPU , Samsung , 國際貿易 |
三星壓力大了 ! 記憶體與面板賣不好,2019 年淨利年減 51% |
| 作者 Atkinson|發布日期 2020 年 01 月 30 日 15:30 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 手機 | edit |
南韓三星 30 日公布截至 2019 年 12 月 31 日為止的 2019 年第 4 季及全年財報。根據資料顯示,因為記憶體價格仍在低檔盤旋,加上面板需求疲弱,使得三星第 4 季營收為 59.88 兆韓圜(約 508 億美元),較 2018 年同期成長 1%,營業利益為 7.16 兆韓圜(約 61 億美元),較 2018 年同期則是下滑 34%,淨利則是下降 38%,來到 5.2 兆韓圜(約 44 億美元)。
英特爾 2019 第 4 季業績優於預期,將拉抬台股半導體年後開紅盤 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2020 年 01 月 24 日 17:10 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片 | edit |
處理器龍頭英特爾(intel)公佈了 2019 年第 4 季及全年財報。報告顯示,英特爾第 4 季營收為 202.09 億美元, 較 2018 年同期的 186.57 億美元成長 8%,淨利潤為 69.05 億美元,與 2018 年同期的 51.95 億美元相較,成長 33%。整體來說,英特爾 2019 年第 4 季營收和調整後每股 EPS 均超出華爾街分析師預期,且預計 2020 年第 1 季和全年業績展望也均超出預期,拉抬其在美股的盤後股價大漲近 5%。
ASML 2019 年獲利近台幣 900 億元,總計出貨逾 2,000 億元 EUV 設備 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2020 年 01 月 22 日 16:45 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片 | edit |
半導體微影廠商艾司摩爾 (ASML) 於台北時間 22 日下午公布 2019 年第 4 季與 2019 年年財報。根據財報顯示,2019 年第 4 季銷售淨額 (net sales) 為 40 億歐元 (約新台幣 1,350 億元),淨收入 (net income) 為 11 億歐元 (約新台幣 371 億元),毛利率為 48.1%。累計,2019 年度的淨銷售額 118 億歐元 (約新台幣 3,982.5 億元),淨收入 26 億歐元 (約新台幣 877.5 億元)。
NAND Flash 市況好轉,中國長江存儲直接殺入 128 層堆疊開發 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2020 年 01 月 17 日 15:45 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體 | edit |
日前,中國記憶體廠商長江存儲確認自主研發的 64 層堆疊 256Gb TLC NAND Flash 已經在 2019 年投入量產,並正在擴充的產能,將儘早達成約產能 10 萬片的規模,並達到計畫總產能每月 30 萬片的目標。如今,長江存儲再宣布下一個階段的技術發展目標,就是將跳過如今業界常見的 96 層,直接投入 128 層 NAND Flash 的研發工作,不過,暫時沒有具體的目標時間表。
三星跳電事件激勵買方預期性補貨,2020 Q1 DRAM 合約價起漲 |
| 作者 TechNews|發布日期 2020 年 01 月 08 日 14:30 | 分類 晶片 , 記憶體 | edit |
據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查,隨著近一個月來 DRAM 現貨價格持續走揚,加上 2019 年 12 月 31 日三星華城廠區發生跳電,雖然整體記憶體供給並沒有因此事件受到重大影響,但觀察到各產品別買方備貨意願進一步增強。因此,TrendForce 再次修正 2020 年第一季 DRAM 合約價格預測,由原先的「大致持平」調整為「小漲」,價格正式提前翻轉向上。 繼續閱讀..
