三星電子計劃實現「PB 級」記憶體目標,高層曾預期,V-NAND 在 2030 年疊加千層以上。最新消息指三星考慮用新「鐵電」材料(Hafnia Ferroelectrics)實現目標,且可能是關鍵。 繼續閱讀..
三星希望透過新鐵電材料,實現超過千層 NAND |
作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 05 月 13 日 11:47 | 分類 Samsung , 材料 , 記憶體 |
突破傳統鐵電材料極限,台灣團隊開發創新二維材料鐵電電晶體 |
作者 Emma stein|發布日期 2024 年 02 月 21 日 15:44 | 分類 半導體 , 尖端科技 , 材料 | edit |
解決傳統鐵電電晶體尺寸縮小後引起的功耗降低難題!由台灣師範大學物理學系藍彥文教授、陸亭樺教授領導的團隊,最近開發出基於二維材料「二硫化鉬」的創新鐵電電晶體,於鐵電材料領域取得重大突破。 繼續閱讀..