日本名古屋大學研究團隊宣布,在新一代半導體氧化鎵(Ga₂O₃)研究上取得關鍵突破,成功透過新技術製作出製作出 p 型層,首次邁過長期困擾學界的瓶頸。 繼續閱讀..
名古屋大學突破氧化鎵瓶頸,成功製作 p 型層 |
| 作者 蘇 子芸|發布日期 2025 年 09 月 02 日 12:00 | 分類 半導體 |
名古屋大學突破氧化鎵瓶頸,成功製作 p 型層 |
| 作者 蘇 子芸|發布日期 2025 年 09 月 02 日 12:00 | 分類 半導體 | edit |
日本名古屋大學研究團隊宣布,在新一代半導體氧化鎵(Ga₂O₃)研究上取得關鍵突破,成功透過新技術製作出製作出 p 型層,首次邁過長期困擾學界的瓶頸。 繼續閱讀..
宜特小學堂:第四代半導體來了 如何鑑定 Ga2O3 氧化鎵 |
| 作者 TechNews|發布日期 2023 年 01 月 10 日 9:00 | 分類 晶片 | edit |
以 Ga2O3 氧化鎵為主的第四代半導體躍上檯面,將成為下一個明日之星,如何鑑定呢? 繼續閱讀..
