Tag Archives: 美光

美建廠卡關連環爆！美光、Amkor、SK 海力士因當地抗議設廠延誤
作者 |發布日期 2025 年 06 月 12 日 16:19 |
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分類 公司治理 , 半導體 , 財經

《晶片與科學法案》（CHIPS and Science Act）的資助下，許多晶圓廠開始建設或即將進入量產階段，但據外媒 SemiAnalysis 報導，部分建廠因為環境審查與當地居民抗議而尚未動工，陷入「鄰避情結」（NIMBY）或許可流程長達兩年的狀況。目前受影響的項目包括 Amkor 在亞利桑那州的先進封裝廠、美光在紐約的 DRAM 廠房，以及 SK 海力士在印第安納州 HBM 廠。 繼續閱讀..

美光逆襲！搶先拿下 SOCAMM 量產批准，嚇歪韓媒「老三上演大反撲」
作者 |發布日期 2025 年 06 月 10 日 22:32 |
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分類 AI 人工智慧 , 晶片 , 記憶體

根據韓媒和爆料者 @Jukanlosreve 報導，NVIDIA 委託三星、SK 海力士和美光開發 SOCAMM 記憶體模組，出乎意料的是美光竟是第一家獲得量產批准的公司，速度比老大哥三星、SK 海力士快。這個消息也讓韓媒相當驚恐，直接在標題下「『老三上演大反撲』引起恐慌」。 繼續閱讀..

美光 1γ 製程 LPDDR5X 送樣，提供智慧手機創新設計基礎
作者 |發布日期 2025 年 06 月 06 日 10:30 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 財經

記憶體大廠美光（Micron）宣布，正在交貨全球首款採用 1γ 製程的 LPDDR5X 記憶體樣品。這屬於第六代 10 奈米等級 1γ（1-gamma）DRAM 產品，速率達 10.7Gbps，同時節省 20% 電量，目的在加速旗艦智慧型手機，包括人工智慧 （AI） 應用在內的資料密集型工作執行，帶來更快、更流暢的行動體驗，以及更長久的電池續航時間。

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1Q25 DRAM 營收季減 5.5%，三星寶座讓給 SK 海力士
作者 |發布日期 2025 年 06 月 03 日 14:20 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

TrendForce 最新調查，2025 年第一季因一般型 DRAM（conventional DRAM）合約價下跌，加上 HBM 出貨規模收斂，DRAM 產業營收 270.1 億美元，季減 5.5%。平均銷售單價方面，三星更改 HBM3e 產品設計，HBM 產能排擠效應減弱，使下游業者去化庫存，導致多數產品合約價延續 2024 年第四季以來跌勢。 繼續閱讀..

淡季效應疊加庫存壓力，五大 NAND Flash 品牌廠 25Q1 營收季減逾 20%
作者 |發布日期 2025 年 05 月 29 日 14:58 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

TrendForce 最新研究，2025 年第一季 NAND Flash 供應商面對庫存壓力、終端客戶需求下滑，平均銷售價格（ASP）季減 15%，出貨量減少 7%，即便季末部分產品價格回升，帶動需求，但最終五大 NAND Flash 品牌廠營收合計 120.2 億美元，季減近 24%。 繼續閱讀..

繼台積電與美四大廠後，美國半導體協會也呼籲川普勿徵關稅
作者 |發布日期 2025 年 05 月 26 日 20:45 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 國際貿易

在美國川普政府接下來可能對半導體課徵關稅之際，除了先前台積電祭出說帖，呼籲勿開徵相關關稅後，另外包括美國半導體大廠英特爾、高通、美光、德儀等也出具意見書，要川普「免除半導體進口稅負」，否則將衝擊美國半導體產業能量。如今，其會員含括美國大多數半導體企業的美國半導體產業協會 (SIA)，也向美國商務部工業和安全局 (BIS) 提交意見，警告一旦施行廣泛的關稅，可能對美國半導體產業造成嚴重意外損害。

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HBM4 新規格拉高製造門檻，溢價幅度估逾 30%
作者 |發布日期 2025 年 05 月 22 日 14:03 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

TrendForce 最新研究，HBM 發展受 AI 伺服器需求帶動，三大原廠積極推動 HBM4 產品進度。因 HBM4 的 I/O 數增加，複雜晶片設計使晶圓面積增加，且部分供應商產品改採邏輯晶片架構以提高性能，皆推升成本。有鑑 HBM3e 甫推出時溢價比例約 20%，製造難度更高 HBM4 溢價幅度或突破 30%。 繼續閱讀..

三星 HBM 越來越吃力，傳 Google 供應商換成美光
作者 |發布日期 2025 年 05 月 02 日 9:20 |
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分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

2023 年 10 月開始，三星就努力使 HBM3E 高頻寬記憶體通過輝達品質認證，但經過一年多，無論八層堆疊或 12 層堆疊，晶片性能都未能滿足要求，甚至影響財務表現。三星傳出修改 HBM3E 設計，5 月底至 6 月初再申請輝達認證。三星最近還打算逐步淘汰 HBM2E，資源轉向 HBM3E 和 HBM4。

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