Tag Archives: 鐵電記憶體

實現下世代「記憶體內運算」的關鍵？鐵電記憶體商用還有多遠？
作者 |發布日期 2022 年 03 月 04 日 9:00 |
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分類 尖端科技 , 晶圓 , 晶片

現今半導體產業持續朝向更小的製程節點邁進，包括 DRAM 與 NAND Flash 已開始面臨到元件微縮的嚴苛技術挑戰。基於 HfO2 材料之鐵電記憶體不僅有更大的尺寸縮微空間，也可實現 3D 結構整合，甚至具備多位元儲存的可行性。然而，其又面臨著什麼樣的技術挑戰和未來前景呢？（本文出自國立清華大學工程與系統科學系巫勇賢教授，於閎康科技「科技新航道 | 合作專欄」介紹「鐵電記憶體的原理、挑戰與展望」文稿，經科技新報修編為上下兩篇，此篇為下篇。） 繼續閱讀..

淺談鐵電記憶體：如何實現下世代「記憶體內運算」？
作者 |發布日期 2022 年 02 月 22 日 10:02 |
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分類 尖端科技 , 晶片 , 記憶體

因應人工智慧、物聯網、5G、車載等新興科技所迎來的巨量資訊分析需求，近年來各國政府及國際知名大廠皆積極地投注大量資源，加速開發兼具提升運算速度以及降低耗能的下世代記憶體。而新興記憶體技術選項中，當屬「鐵電記憶體」最被看好，其原理、技術挑戰與未來機會為何？（本文出自國立清華大學工程與系統科學系巫勇賢教授，於閎康科技「科技新航道 | 合作專欄」介紹「鐵電記憶體的原理、挑戰與展望」文稿，經科技新報修編為上下兩篇，此篇為上篇。） 繼續閱讀..

工研院研發 28 奈米以下鐵電記憶體，鎖定下世代運算需求
作者 |發布日期 2021 年 12 月 17 日 16:30 |
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分類 5G , AI 人工智慧 , 晶片

AI 與 5G 等加速處理巨量資料與分析的速度，使得兼具提升運算速度並降低耗能的下世代記憶體技術就成為關鍵。為此，工研院於 12 月在美國舊金山登場的 2021 國際電子元件研討會（2021 IEDM）中，發表可微縮於 28 奈米以下的鐵電式記憶體，未來可應用在人工智慧、物聯網、汽車電子系統，加速產業躋身「下世代運算技術」領先群。

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