工研院研發 28 奈米以下鐵電記憶體,鎖定下世代運算需求

作者 | 發布日期 2021 年 12 月 17 日 16:30 | 分類 5G , AI 人工智慧 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


AI 與 5G 等加速處理巨量資料與分析的速度,使得兼具提升運算速度並降低耗能的下世代記憶體技術就成為關鍵。為此,工研院於 12 月在美國舊金山登場的 2021 國際電子元件研討會(2021 IEDM)中,發表可微縮於 28 奈米以下的鐵電式記憶體,未來可應用在人工智慧、物聯網、汽車電子系統,加速產業躋身「下世代運算技術」領先群。

工研院電子與光電系統所所長吳志毅表示,工研院在下世代記憶體技術上深耕多年,這次發表的鐵電記憶體,除了能同時達到極低操作與待機功耗要求,這次更開發出可微縮於 28 奈米以下的關鍵技術,與過去只能在 65 奈米以上製程實現的技術,領先了二個製程節點以上,晉升 28 奈米以下先進製程等級的嵌入式記憶體產品,未來可應用智慧手機、智慧車載、AR/VR 等 AIoT 應用。

吳志毅進一步說明,而這次在 IEDM 中,工研院也攜手陽明交通大學,發表將記憶體技術應用於退火加速運算的成果,以量子啟發式(Meta-heuristic)計算演算法開發出全球第一顆記憶體內退火加速晶片,較既有運算速度快萬倍,可被視為未來量子電腦的殺手級應用,廣泛應於半導體製程、生醫基因定序、金融商品、物流排程上,加速產業落地與創新。

工研院近年來持續將記憶體技術應用於下世代運算技術,並已在今年多次發表成果。例如今年上半年在全球頂尖電路研討會(ISSCC)中,與清華大學合作同步發表 8bits 記憶體內運算晶片,能源效率達 22.75 TOPS/W,較過去提升 6 倍。

不僅如此,在11 月的亞洲頂尖電路研討會(ASSCC)中,工研院與陽明交通大學更共同發表在每瓦功耗上,每秒可進行超過兩萬兆次運算(20943 TOPS/W)的極高能效1.5 bits記憶體內運算晶片,較過去的技術大幅提升數十倍以上。

(首圖來源:工研院)