AI 與 5G 等加速處理巨量資料與分析的速度，使得兼具提升運算速度並降低耗能的下世代記憶體技術就成為關鍵。為此，工研院於 12 月在美國舊金山登場的 2021 國際電子元件研討會（2021 IEDM）中，發表可微縮於 28 奈米以下的鐵電式記憶體，未來可應用在人工智慧、物聯網、汽車電子系統，加速產業躋身「下世代運算技術」領先群。
工研院電子與光電系統所所長吳志毅表示，工研院在下世代記憶體技術上深耕多年，這次發表的鐵電記憶體，除了能同時達到極低操作與待機功耗要求，這次更開發出可微縮於 28 奈米以下的關鍵技術，與過去只能在 65 奈米以上製程實現的技術，領先了二個製程節點以上，晉升 28 奈米以下先進製程等級的嵌入式記憶體產品，未來可應用智慧手機、智慧車載、AR/VR 等 AIoT 應用。
吳志毅進一步說明，而這次在 IEDM 中，工研院也攜手陽明交通大學，發表將記憶體技術應用於退火加速運算的成果，以量子啟發式（Meta-heuristic）計算演算法開發出全球第一顆記憶體內退火加速晶片，較既有運算速度快萬倍，可被視為未來量子電腦的殺手級應用，廣泛應於半導體製程、生醫基因定序、金融商品、物流排程上，加速產業落地與創新。
工研院近年來持續將記憶體技術應用於下世代運算技術，並已在今年多次發表成果。例如今年上半年在全球頂尖電路研討會（ISSCC）中，與清華大學合作同步發表 8bits 記憶體內運算晶片，能源效率達 22.75 TOPS/W，較過去提升 6 倍。
不僅如此，在11 月的亞洲頂尖電路研討會（ASSCC）中，工研院與陽明交通大學更共同發表在每瓦功耗上，每秒可進行超過兩萬兆次運算（20943 TOPS/W）的極高能效1.5 bits記憶體內運算晶片，較過去的技術大幅提升數十倍以上。
（首圖來源：工研院）
