韓媒 TheElec 報導，三星已成功大幅減少 3D NAND 快閃記憶體生產過程中曝光製程所使用的光阻劑（PR）。 繼續閱讀..
有助節省成本，三星成功減少 3D NAND 曝光製程光阻劑用量 |
作者
林 妤柔|發布日期
2024 年 11 月 27 日 18:34 |
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