Tag Archives: dram

因應高效能運算需求,英特爾推出新款可重複程式設計晶片

作者 |發布日期 2017 年 12 月 22 日 17:30 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體

半導體大廠英特爾(Intel)於 21 日宣布,推出業界首款採用整合式高頻寬記憶體 DRAM(HBM2)的可重複程式設計的晶片(FPGA)──Stratix 10 MX FPGA。該產品可通過整合 HBM2 提供 10 倍於獨立 DDR 記憶體解決方案的記憶體頻寬。而憑藉強大頻寬功能,Stratix 10 MX FPGA 將可用做高性能運算(HPC)、資料中心、網路功能虛擬化(NFV)等許多基本的功能加速器,使得這些需要應用到硬體加速器的部分,能提升大規模資料移動和資料管道框架的速度。

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TechNews 科技早報 – 20171222

作者 |發布日期 2017 年 12 月 22 日 9:02 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經

中國布局記憶體,晉華電子、合肥長鑫與紫光集團三大陣營成形
中國半導體發展風起雲湧,在市場、國安等考量下,記憶體成為中國重點發展項目。根據全球市場研究機構 TrendForce 最新「中國半導體產業深度分析」報告指出,隨著中國挾帶著龐大的資金與地方政府的… 繼續閱讀..

中國布局記憶體,晉華電子、合肥長鑫與紫光集團三大陣營成形

作者 |發布日期 2017 年 12 月 21 日 14:31 | 分類 中國觀察 , 記憶體 , 零組件

中國半導體發展風起雲湧,在市場、國安等考量下,記憶體成為中國重點發展項目。根據全球市場研究機構 TrendForce 最新「中國半導體產業深度分析」報告指出,隨著中國挾帶著龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的記憶體領域,中國包含晉華電子、合肥長鑫與紫光集團在內的三大陣營已成形。 繼續閱讀..

三星宣布搶先業界量產第二代 1y 奈米製程 DRAM

作者 |發布日期 2017 年 12 月 20 日 16:30 | 分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體

南韓科技大廠三星 20 日宣布,已經開始量產第二代的 1y 奈米製程的 DRAM 產品。三星表示,該項 DRAM 產品為  8Gb 的 DDR4 DRAM 第二代產品。相較於上一代產品來說,新的 8Gb DDR4 具有 8Gb DRAM 記憶體中最高的性能和耗能效率,另外還有更小的面積尺寸。

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韓系兩大 DRAM 廠確定 2018 年首季漲價,DRAM 漲勢短期難降溫

作者 |發布日期 2017 年 12 月 19 日 17:45 | 分類 AI 人工智慧 , Samsung , 伺服器

DRAM 記憶體市場近期嚴重供不應求,造成全球記憶體龍頭三星將於 2018 年第 1 季價格再上調 3% 至 5%。而另一家記憶體大廠 SK 海力士也將調漲約 5%。除此之外,有部分供應鏈透露,2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀,價格將續漲 5% 以上。因此,在需求太強勁的情況下,此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來,每季都呈現上漲的態勢。如果加上 2018 年第 1 季持續漲價,報價已經連續 7 季走揚,堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。

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智慧手機新品延賣、增產腳步延遲,DRAM 價創 2 年 10 個月高

作者 |發布日期 2017 年 12 月 18 日 13:30 | 分類 手機 , 晶片 , 記憶體

日經新聞 15 日報導,半導體記憶體代表性產品 DRAM 價格持續走揚,12 月份指標性產品中的 DDR3 2Gb 批發價格較 11 月份揚升 3% 至每個約 1.9 美元左右、4Gb 產品也揚升 1% 至 3.6 美元左右,較年初相比,上述兩款產品價格皆大增 2 成,創下 2 年 10 個月來新高水準。 繼續閱讀..