南韓半導體大廠 SK 海力士 25 日宣布,已提撥 46 兆韓圜(382 億美元)的預算,計劃在未來十年內投資於三座新半導體廠房,一方面是鞏固市佔率,另一方面也響應政府提振南韓景氣。
SK 海力士砸 382 億美元建半導體廠,盤中跳漲 7% |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2015 年 08 月 25 日 12:30 | 分類 晶片 , 零組件 |
TechNews 科技早報 – 20150825 |
| 作者 technewsdaily|發布日期 2015 年 08 月 25 日 9:03 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 | edit |
聯發科十核心處理器,獲多家陸廠採用
聯發科十核心處理器 Helio X20 報捷,除了傳獲小米 5 採用外,傳出獲得多家中國廠商採用。聯發科 Helio X20 獲得中國手機廠 Elephone 採用,預計將於 10 月開… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20150824 |
| 作者 technewsdaily|發布日期 2015 年 08 月 24 日 8:57 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 | edit |
三星推出全球最大的 SSD 硬碟:16TB
三星在加州舉行的 2015 Flash Memory Summit 上,展出了全球容量最大的 2.5 英寸 16TB SSD 硬碟。這個型號 PM1633a 的硬碟實際容量為 15.36TB,針對企業用戶作為… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20150821 |
| 作者 technewsdaily|發布日期 2015 年 08 月 21 日 8:51 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 | edit |
DRAM 市場 3 年循環魔咒難逃
DRAM 價格今年來期待反彈卻望穿秋水,第三季跌勢甚於預期,PC DRAM 因電腦景氣不佳首當其衝,若第四季價格持續挫低,第四季價格跌破現金成本的歹日子恐重… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20150820 |
| 作者 technewsdaily|發布日期 2015 年 08 月 20 日 9:10 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 | edit |
本季現貨價跌幅恐飆高, DRAM 廠不利
DRAM 現貨價持續破底,合約價在 7 月就已經大跌 15%,第三季恐寫下今年來單季跌幅新高紀錄,季跌幅朝 3 成邁進,不利華亞科等 DRAM 廠。華亞科公告 7 月… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20150819 |
| 作者 technewsdaily|發布日期 2015 年 08 月 19 日 8:58 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 | edit |
非韓陣營潰敗!三星/ SK行動 DRAM 市佔首度衝破 80%
三星電子、 SK 海力士等韓廠早就在行動 DRAM 市場上握有絕對優勢,不過非韓陣營潰敗情勢似乎尚未停歇,上季( 2015 年 4-6 月)韓廠市佔率再度飆上新高… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20150818 |
| 作者 technewsdaily|發布日期 2015 年 08 月 18 日 9:14 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 | edit |
Q2 手機記憶體 三星樂勝
相較於 PC DRAM 價格跌跌不休,應用在智慧型手機中的 Mobile DRAM 價格相對抗跌,加上有新一代產品 LPDDR4 的加入提高了平均銷售單價,根據集邦科技旗下記憶… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20150817 |
| 作者 technewsdaily|發布日期 2015 年 08 月 17 日 9:18 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 | edit |
美光: DRAM 止跌或要等 Q4
個人電腦及手機銷售不如預期, DRAM 跌勢不止,主流 DDR4 4Gb 每顆跌破 3 美元支撐,美光上周與分析師會議展望後市不佳,上周五股價重挫 4.24% ,跌至兩年來… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20150814 |
| 作者 technewsdaily|發布日期 2015 年 08 月 14 日 9:25 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 | edit |
產品策略不同,第二季 NAND Flash 供應商營運績效表現不一
第二季由於 NAND Flash 業者對 eMMC/eMCP、固態硬碟與產品策略的不同,營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的呈現。各家業者除了加快 15/16 奈米與 TLC … 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20150813 |
| 作者 technewsdaily|發布日期 2015 年 08 月 13 日 8:42 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 | edit |
Samsung 新增 3 款高速 SSD, 3-bit MLC 時代來臨
針對 NAND Flash 市場,除了 Samsung 已經開始進入 3-bit MLC 與 NVMe 化之外,其它競爭對手在今年也開始著手規劃一系列產品。透過 TLC 顆粒價格優勢… 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20150812 |
| 作者 technewsdaily|發布日期 2015 年 08 月 12 日 9:21 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 | edit |
三星第三代 V-NAND 量產,耗電量降 30%
英特爾、美光新世代記憶體技術 3D Xpoint 儲存的資料比 DRAM 高出十倍,讀寫速度與耐受度更是 NAND 型快閃記憶體的 1 千倍之多,如此革新的技術讓三星… 繼續閱讀..
