三星第三代 V-NAND 量產,耗電量降 30%

作者 | 發布日期 2015 年 08 月 11 日 11:10 | 分類 Samsung , 零組件 follow us in feedly
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英特爾(Intel Corp.)、美光(Micron Technology Inc.)於 7 月 29 日宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」,讓三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)警鐘大作,該公司 10 日發布新聞稿宣布,第三代 V-NAND 已正式量產。



三星指出,業界首見、以 48 層 3-bit MLC 堆疊的 256Gb 3DVertical NAND(V-NAND)已開始量產,可用於固態硬碟(SSD),這款快閃記憶體的密度是傳統 128Gb NAND 的一倍,除了單顆晶粒就具備 32 gigabytes (256 gigabits)的記憶體儲存容量外,最新晶片的儲存容量也可輕鬆到三星現有 SSD 產品線的一倍之多。

三星是在 2014 年 8 月推出第二代 V-NAND (32 層 3-bit MLC V-NAND),現在只花了短短一年後就發布第三代 V-NAND,持續在 3D 記憶體時代保持領先地位。

最新的 V-NAND 內,每一個記憶體單元都運用了同樣的 3D Charge Trap Flash (CTF)架構,在儲存相同的資料量之際,耗電量能比 32 層 3-bit MLC 128Gb V-NAND 節省逾 30%。在生產過程方面,第三代 V-NAND 的生產效率比前代高出 40%,可讓 SSD 更具成本競爭力。

三星在 2015 年結束前都計劃不斷生產第三代 V-NAND,以便讓 TB (兆位元)級的 SSD 加速普及。

英特爾、美光新世代記憶體技術「3D Xpoint」儲存的資料比 DRAM 高出十倍,讀寫速度與耐受度更是 NAND 型快閃記憶體的 1 千倍之多,如此革新的技術讓三星、SK Hynix 大為緊張。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Samsung

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